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oe1(光电查) - 科学论文

17 条数据
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  • [IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018年国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 面向毫米波5G基站的宽带1dB噪声系数砷化镓低噪声放大器

    摘要： 一款面向毫米波5G基站应用的宽带低噪声放大器（LNA）采用0.1微米InGaAs pHEMT工艺制造，其噪声系数（NF）低于1分贝。该器件采用共源拓扑结构配合电感源极退化技术，实现噪声与输入阻抗的同步匹配。测试结果表明：在1V供电电压、13mW功耗条件下，该LNA在24GHz频点获得7.9dB增益及5GHz带宽的-1dB平坦度；在21-27GHz频段内噪声系数始终低于1.5dB，其中26GHz处达到最低值0.7dB。

    关键词： 毫米波、噪声系数、pHEMT、5G、低噪声放大器、砷化镓

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 适用于X波段SiGe BiCMOS相控阵应用的超低噪声放大器

    摘要： 本文介绍了一种在X波段具有亚1分贝噪声系数（NF）的低噪声放大器（LNA）。与通常已知的噪声和功率匹配技术不同，该LNA的设计考虑了共发射极配置下异质结双极晶体管（HBT）基极-集电极端子之间的阻抗。所提出的放大器级可实现亚1分贝NF性能，同时提供约10分贝增益。该LNA消耗19.8毫瓦直流功率，在占用0.4平方毫米面积时具有0.77分贝NF，并实现了1.5分贝毫瓦的输入参考压缩点。据作者所知，该工作在采用SiGe技术的所有LNA中实现了文献报道的最佳NF性能。

    关键词： 噪声、收发器、低噪声放大器、BiCMOS集成电路

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第五代移动通信世界论坛(5GWF) - 美国加利福尼亚州硅谷 (2018.7.9-2018.7.11)] 2018 IEEE 5G世界论坛(5GWF) - 面向24GHz与28GHz宽带5G解决方案的封装高功率前端模块

    摘要： 本文介绍了工作在24-31GHz频段的宽带塑料低成本封装5G高功率前端（HPFE）的实现方案与特性。该演示样机包含采用混合工艺技术实现的发射与接收通路：碳化硅基150纳米氮化镓（AlGaN/GaN on SiC）与150纳米砷化镓（GaAs）。发射通路（Tx）的连续波（CW）实测功率结果显示，在24-31GHz频段内最大输出功率（POUT,Tx）超过2瓦（33.5dBm），漏极效率（DE）达25%，功率附加效率（PAE）为24%，插入增益（GI,Tx）为36dB。接收通路（Rx）在同一频段内呈现30毫瓦（15.5dBm）的最大输出功率（POUT,Rx），平均噪声系数（NF）为3.6dB，对应插入增益（GI,Rx）为20dB。通过采用数字预失真（DPD）技术测试多种25/50及100MHz信道间隔的M-QAM调制信号，HPFE/Tx通路在线性输出功率17dBm至25dBm范围内实现了48dBc的邻道泄漏比（ACLR）和40dB的均方误差（MSE）。与另外两款用于电信应用的线性砷化镓放大器相比，该HPFE在保持更高效率的同时展现出相当的线性性能。得益于混合工艺方案，该设计在集成度、电性能与成本之间实现了优化平衡。

    关键词： 单片微波集成电路（MMIC）、赝调制高电子迁移率晶体管（PHEMT）、砷化镓、塑料封装、收发通道、低噪声放大器、氮化镓、功率放大器、开关

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [IEEE 2018年第19届青年专家微/纳米技术与电子器件国际会议(EDM) - 俄罗斯阿尔泰共和国埃尔拉戈尔(2018.6.29-2018.7.3)] 2018年第19届青年专家微/纳米技术与电子器件国际会议(EDM) - 集成电路芯片裸片与印刷电路板互连的接口模型

    摘要： 本研究展示了高频集成电路封装研究过程中获得的结果。文中描述了集成电路芯片与印刷电路板之间的界面，并对其内部结构进行了开发：包括芯片上的接触焊盘、键合线和芯片输出端。作为所开发方法的一个实例，展示了该界面效应对器件开发及特性的影响——以GPS接收器测试芯片中的低噪声放大器?？槲?。

    关键词： 低噪声放大器（LNA）、全球定位系统（GPS）、互补金属氧化物半导体（CMOS）、芯片封装、噪声系数（Noise Figure）

    更新于2025-09-23 05:09:49

  • 基于砷化镓的低噪声放大器在电磁脉冲注入下的非线性与永久性退化

    摘要： 通过注入实验、失效分析和混合模式仿真，研究了电磁脉冲（EMP）对L波段砷化镓基低噪声放大器（LNA）造成的非线性退化效应。实验结果表明：EMP作用下LNA样品的实时响应、射频特性和直流特性均呈现非线性永久退化特征——具体表现为随着注入功率增大，器件特性先退化后轻微恢复。此外，该非线性退化过程与脉冲参数密切相关。失效分析揭示：退化源于首级高电子迁移率晶体管栅极金属条下方及周边的潜在缺陷，而EMP诱导的"退火效应"可合理解释其性能恢复现象。仿真结果显示：当脉冲重复频率低于2.5kHz时不会产生脉冲重复热积累效应，且脉宽τ主要决定"退火效应"的实际作用时长与温度?；谏鲜龌恚晒Σ土寺龀宀问苑窍咝酝嘶囊览倒叵?。

    关键词： 非线性、低噪声放大器（LNA）、机制、电磁脉冲（EMP）、退化

    更新于2025-09-23 09:05:49

  • [IEEE 2018年第14届国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 青岛(2018.10.31-2018.11.3)] 2018年第14届IEEE国际固态与集成电路技术会议(ICSICT) - 一款适用于毫米波5G基站的1.2分贝噪声系数、17分贝增益宽带砷化镓低噪声放大器

    摘要： 一款面向毫米波5G基站的24-30GHz低噪声放大器（LNA）被设计出来，其噪声系数（NF）为1.2dB。该LNA采用两级结构，第一级利用源极退化电感实现噪声与输入匹配的同步优化；第二级采用相同结构以实现级间匹配以及增益与噪声优化的权衡。通过并联电阻电容结构来保证带宽和稳定性。仿真结果表明，该LNA实现了17.8dB的峰值增益，且1dB带宽超过6GHz，在该带宽范围内噪声系数低于1.35dB。

    关键词： 低噪声放大器、pHEMT、毫米波、5G、砷化镓、噪声系数

    更新于2025-09-23 10:13:50

  • [IEEE 2018亚太微波会议(APMC) - 日本京都 (2018.11.6-2018.11.9)] 2018年亚太微波会议(APMC) - 采用100纳米硅基氮化镓技术实现的23-31GHz低噪声放大器（噪声系数2.5dB）

    摘要： 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）已成为微波功率放大器应用的理想选择。此外，凭借高功率与低噪声性能的结合，GaN HEMT在高线性度低噪声放大器应用中也展现出巨大潜力。本报告展示了一款采用商用100纳米硅基GaN技术的四阶低噪声放大器。该设计的LNA在23至31GHz频段内实现2.2-2.8dB噪声系数和25-29dB小信号增益，输出三阶交调点（P3dB）达17dBm量级。该LNA仅需单路直流供电，芯片尺寸为2.3毫米×1毫米。与现有砷化镓技术相比，该LNA在保持同等噪声系数的同时实现了更高增益和更强线性度。

    关键词： 硅基氮化镓，线性度，低噪声放大器

    更新于2025-09-23 15:53:55

  • 采用反向模式SiGe HBT的射频低噪声放大器在极端环境应用中的低温特性研究

    摘要： 本文介绍了抗辐射射频（RF）低噪声放大器（LNA）的低温性能。该LNA最初是为缓解辐射环境中的单粒子瞬态（SET）效应而设计，其核心级联电路采用反型模式硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）。本原型中，上部共基极SiGe HBT配置为反型模式以实现平衡的射频性能并降低SET敏感性。为拓展反型模式LNA在极端环境中的应用，本研究通过液氮测试评估了78K低温下的射频特性。虽然该SiGe LNA在所有温度条件下均表现出可接受的射频性能，但与常规正向模式设计相比，在78K时观察到明显的增益下降，这归因于反型模式SiGe HBT的高频性能限制。作为指导方案，本文讨论了包括版图优化和掺杂分布调整在内的补偿技术以改善观测到的增益退化问题。

    关键词： 低噪声放大器（LNA）、异质结双极晶体管（HBT）、共源共栅、反向模式、极端环境、低温测量、硅锗（SiGe）

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-7月13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 单电子泵的低噪声测量装置

    摘要： 作为量子电流源应用的单电子泵（SEPs）是未来量子三角实验的基本组成部分。为在合理时间内表征单电子泵，需要低噪声测量系统。我们提出了一种专为单电子泵电流测量改进的测量装置，其特点是采用低噪声布线和新变体的超稳定低噪声电流放大器（ULCA）。评估表明，该装置适合在约14小时内测量100 pA电流，相对不确定度为0.1 μA/A。

    关键词： 电流测量、测量不确定度、噪声测量、测量标准、低噪声放大器

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [2018年IEEE精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-7月13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 利用低温电流比较器校准第二代超稳低噪声电流放大器

    摘要： 根据已确立的两阶段方案实现超稳定低噪声电流放大器后，我们针对严苛应用场景的特殊需求定制了新型变体。改进内容包括依据稳定性标准筛选的新组件以及新设计参数。针对多数此类变体，我们已基于低温电流比较仪装置开发出校准能力。本文概述将重点聚焦于可实现测量不确定度的关键要素。

    关键词： 电流比较器，电流测量，测量不确定度，校准，精密测量，低噪声放大器

    更新于2025-09-10 09:29:36