修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

15 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 通过掺杂Sb改善Ga分布以实现CIGSe薄膜太阳能电池的两步低温制备工艺

    摘要： 本研究探讨了锑掺杂在低温（≤450°C）条件下制备铜铟镓硒（CIGSe）太阳能电池的应用。在低温反应过程中，大部分镓仍聚集于靠近钼背电极的薄膜后部。研究发现，与未掺锑的同工艺CIGSe薄膜相比，锑掺杂能增大晶粒尺寸并提升器件性能。通过能量色散光谱分析和二次离子质谱检测证实：两步硒化工艺后，由于锑的掺入显著缓解了反应薄膜后部的元素镓富集现象。截面扫描电镜分析确认了锑引发的显著晶粒尺寸增大效应。采用导纳谱技术和荧光寿命成像技术对锑掺杂CIGSe薄膜的电学及光学特性进行了表征。

    关键词： 镓分布，薄膜太阳能电池，锑掺杂，低温工艺

    更新于2025-11-14 17:28:48

  • 聚合物辅助原位生长全无机钙钛矿纳米晶薄膜实现高效稳定的纯红光发光器件

    摘要： 过去几年中，钙钛矿发光器件取得了显著进展。纯绿色和红外薄膜钙钛矿发光器件的外量子效率均已成功突破20%。然而，纯红光和蓝光薄膜钙钛矿发光二极管仍存在效率低下的问题。因此，开发具有高效率和稳定性的纯红/蓝光发射薄膜钙钛矿发光二极管，对新型显示技术和固态照明应用具有重要价值。本研究展示了一种基于聚合物辅助原位生长技术的高效纯红光发光二极管，该技术制备的CsPbBr0.6I2.4全无机钙钛矿纳米晶薄膜（晶粒尺寸20~30nm且分布均匀）。通过该方法，我们显著降低了CsPbBr0.6I2.4的形成温度并稳定了其钙钛矿相。最终成功实现了外量子效率达6.55%、亮度为338 cd/m2的纯红光钙钛矿发光二极管。此外，该器件在初始亮度300 cd/m2条件下获得1.5V的超低启亮电压，半衰寿命超过0.5小时。

    关键词： ??基钙钛矿，钙钛矿-聚合物杂化材料，低温工艺，纯红光发射，钙钛矿发光二极管

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 低温制备的高效无空穴传输层碳基平面钙钛矿太阳能电池及SnO2量子点电子传输层

    摘要： 昂贵的空穴传输层(HTL)和背接触电极的使用，加上钙钛矿太阳能电池的稳定性问题，一直是该技术商业化的主要障碍。此外，高温长时间退火处理的电子传输层(ETLs，如TiO2)限制了其在大多数聚合物衬底上的柔性太阳能电池应用。本研究采用无HTL的碳电极，因其相比贵金属电极具有低成本生产和优异的空气稳定性优势。我们通过低温溶液法制备SnO2量子点(QDs)作为ETL，构建了平面钙钛矿太阳能电池。相比高温处理的ETLs，这种方案因出色的电子提取和空穴阻挡能力而具有显著优势。通过整合低成本稳定的碳电极，在玻璃/掺铟SnO2/QD-SnO2/钙钛矿/碳器件结构下，于环境条件1个太阳光照强度下实现了13.64%的优异能量转换效率。本研究通过集成QD SnO2 ETL和碳电极，为低成本全低温制备可印刷钙钛矿太阳能电池(PSCs)铺平了道路。

    关键词： 低温工艺、平面钙钛矿太阳能电池、无空穴传输层、碳电极、二氧化锡量子点

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 低温合成掺铌二氧化钛电子传输层通过能带排列调控实现高效钙钛矿太阳能电池

    摘要： 通过一步低温蒸汽退火（SA）法处理涂覆钛前驱体的基底，合成了由底部致密层与顶部介孔层堆叠构成的双结构掺铌二氧化钛（Nb-TiO2）薄膜。基于SA的Nb-TiO2薄膜具有高结晶度与导电性，其通过铌掺杂水平能更好地调控二氧化钛作为钙钛矿太阳能电池（PSCs）电子传输层（ETL）的导带（CB）。通过改变混合卤化物钙钛矿中Br/I比例来调节其导带能级，从而优化了Nb-TiO2基ETL的功率转换效率（PCE）。这种能带偏移管理实现了ETL与钙钛矿之间最适宜的能级匹配。该方法在保持高开路电压的同时降低了钙钛矿带隙以增强光电流密度。最终，5 mol% Nb-TiO2 ETL与混合卤化物钙钛矿中10 mol% Br的最佳组合，在低温器件制备中展现出优异光伏性能，实现了21.3%的高产率PCE。

    关键词： 低温工艺、无溶剂水热合成、电子传输层、蒸汽退火法、钙钛矿太阳能电池、铌掺杂二氧化钛

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 太阳能电池中基于银纳米线的透明导电层存在低温连接的证据

    摘要： 采用旋转扫描透射电子显微镜（配备断层重建图像的STEM）和超大规模分子动力学模拟（2×10^6原子），研究了银纳米线（AgNWs）在60°C下的连接形成初级阶段。本研究表明：银纳米线无需传统200°C高温后处理即可在交叉点形成熔融接触。事实上，60°C低温退火更有利于构建高导电网络。STEM与MD结果共同证实，纳米线间连接通过"细化阶段"实现——该阶段首次被本报告揭示，发生于纳米线展宽之前，由上方纳米线的载荷与加热的协同效应导致。本研究成果显著推动了AgNWs在需低温加工的太阳能电池（如钙钛矿、Kesterite及有机太阳能电池）透明导电层中的应用。

    关键词： 低温工艺，扫描透射电子显微镜，分子动力学模拟，结电阻率，透明导电层，银纳米线

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 臭氧介导的可控水解制备高效钙钛矿太阳能电池中的高质量非晶NbO<sub>x</sub>电子传输层

    摘要： 非晶态NbOx电子传输层（ETL）在低温（<100°C）条件下展现出提升钙钛矿太阳能电池（PSCs）功率转换效率（PCE）的巨大潜力。迄今为止，在环境条件下进行低温溶液加工时，同时控制NbOx前驱体溶液的水解并减少NbOx ETLs中的杂质仍是一项挑战。本文首次报道了臭氧（O3）作为强配体在环境条件下稳定Nb盐溶液的方法。该工艺不仅通过抑制溶液水解实现了高度可重复的非晶态NbOx薄膜制备，还降低了薄膜中的OH含量，从而减少缺陷强度并提高NbOx ETL的导电性。由此获得了具有高度可重复性的NbOx ETL基PSCs，这些器件在刚性基底和柔性基底上分别实现了19.54%和16.42%的高PCE，显著高于未经过O3处理的ETL溶液制备的器件。

    关键词： NbOx（氧化铌）、电子传输层、钙钛矿太阳能电池、非晶氧化物半导体、低温工艺

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 钽掺杂对钙钛矿太阳能电池中低温工艺制备SnO?电子传输层的影响

    摘要： 电子传输层（ETL）对钙钛矿太阳能电池（PSCs）的器件性能起着关键作用。近期，二氧化锡（SnO2）因其优异的光电特性被广泛用作ETL。本研究通过化学浴沉积法开发了掺钽二氧化锡（Ta-SnO2）作为ETL，实现了低温制备PSCs。与原始SnO2相比，I-V曲线和透射光谱显示Ta-SnO2导电性显著提升且未降低透光性能。同时，钽掺杂能加速电子转移、降低SnO2/钙钛矿界面复合概率并钝化电子陷阱，从而提升电池性能。经系列优化后，最佳器件功率转换效率达20.80%，开路电压1.161 V，短路电流密度22.79 mA/cm2，填充因子0.786。适量钽掺杂的SnO2有望成为低温制备高效PSCs的理想ETL材料。

    关键词： 钙钛矿太阳能电池、钽掺杂、二氧化锡、电子传输层、低温工艺

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于SnO?纳米棒自组装微球的高效低温加工介观钙钛矿太阳能电池

    摘要： 钙钛矿太阳能电池（PSCs）中的介孔支架能加速异质成核位点的形成，从而提升钙钛矿薄膜质量并实现大面积均匀覆盖。然而介孔电子传输层（ETLs）可有效弥补电子扩散长度短于空穴扩散长度的缺陷。因此多数介观PSCs通常比平面结构器件具有更优异的光伏性能。但介孔ETLs（尤其是金属氧化物纳米晶制备的ETLs）往往需要高温烧结工艺来去除残留有机物并提升金属氧化物结晶度。本研究采用新型乳液基自下而上自组装策略，由油酸包覆的SnO2纳米棒制备出大尺寸SnO2微球。结合原位配体剥离技术，低温溶液法制备的介观PSCs实现了高达21.35%的效率，且具有轻微迟滞效应与良好重现性。特别值得注意的是，该乳液基自下而上自组装策略是制备多种半导体纳米晶微球的通用方法，将大幅扩展高效介观PSCs乃至反型介观器件的材料选择范围。

    关键词： 介观钙钛矿太阳能电池、原位配体剥离、低温工艺、SnO2纳米棒自组装微球

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 热过程太阳能工程、光伏与风能 || 太阳能工业过程供热

    摘要： 工业中大量能源被用于低温工艺加热，应用范围广泛，包括木材或食品干燥、食品加工中的清洗、冶金或化工加工中的萃取作业、烹饪、砌体产品养护、油漆干燥等众多领域。这些应用的所需温度可从接近环境温度到低压蒸汽对应的温度范围不等，能源可由平板集热器或低聚光比的聚光集热器提供。

    关键词： 平板集热器、低温工艺、太阳能、聚光集热器、工业过程热

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 宽带隙钙钛矿晶格平面微调实现高效稳定超1.5V高压平面太阳能电池

    摘要： 无碘化物掺杂的三溴化物钙钛矿因其超过2.0 eV的宽禁带特性，被视为光电解水系统和叠层太阳能电池顶电池的优质候选材料。本研究报道了铯离子（Cs）在A位点微调晶格结构对低温制备甲脒铅三溴化物（CH(NH2)2PbBr3=FAPbBr3）钙钛矿薄膜的重要影响。部分溴化铯（CsBr）掺入FAPbBr3薄膜可调控晶格相互作用，形成具有择优取向的高纯度立方晶系。采用含8%铯的FAPbBr3（Cs0.08FA0.92PbBr3）组装的全低温平面光伏器件展现出8.56%的最佳光电转换效率（PCE）和1.516 V的开路电压（Voc），显著优于FAPbBr3器件（PCE 7.07%，Voc 1.428 V）。通过激光扫描共聚焦时间分辨显微镜（LCTM）进行的荧光强度及时空成像测量表明，CsBr掺杂显著抑制了非辐射复合路径并均匀化了荧光空间分布。可视化结果显示CsBr掺杂直接影响体相缺陷和荧光特性，证实铯离子能有效缓解钙钛矿薄膜中的离子偏析与团聚。值得注意的是，载流子寿命约270 ns的Cs0.08FA0.92PbBr3薄膜，其辐射复合时间（270 ns）较FAPbBr3薄膜（210 ns）延长1.37倍。此外，在空气环境（2000小时）和严苛条件（65°C/65% RH，500小时）下的无封装老化实验表明，Cs0.08FA0.92PbBr3器件具有更优异的稳定性。

    关键词： 低温工艺，高开路电压，宽带隙，溴化铯，甲脒铅溴

    更新于2025-09-12 10:27:22