研究目的
探索Sb掺杂在Cu(In,Ga)Se2（CIGSe）太阳能电池低温制备中的应用，以改善Ga分布并提升器件性能。
研究成果
在CIGSe薄膜中掺入Sb可促进晶粒生长并改善Ga分布，从而提升器件性能。该研究表明Sb掺杂具有实现CIGSe太阳能电池低温加工的潜力，能提高开路电压和转换效率。
研究不足
该研究受限于低温处理条件，这可能影响CIGSe薄膜的结晶和性能。锑促进镓分布的机制尚需进一步研究。
1：实验设计与方法选择：
研究在钼涂层钠钙玻璃基板上沉积不同厚度的锑层，随后共蒸发铜、铟和镓形成CIGSe金属前驱体。接着沉积硒膜，并通过450°C的快速热处理对样品进行退火。
2：样品选择与数据来源：
制备了锑层厚度为5、10和20纳米的样品，以及不含锑的对照样品。
3：10和20纳米的样品，以及不含锑的对照样品。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括快速热处理腔室、扫描电子显微镜（SEM）、扫描透射电子显微镜-能量色散X射线光谱仪（STEM-EDS）、二次离子质谱仪（SIMS）、X射线衍射仪（XRD）、荧光寿命成像显微镜系统（FLIM）和暗态电流测量装置（AS）。材料包括钼涂层钠钙玻璃、铜、铟、镓、硒和锑。
4：实验步骤与操作流程：
过程包括前驱体沉积、硒膜沉积、退火，以及使用多种技术表征以分析锑掺杂的影响。
5：数据分析方法：
使用SEM、STEM-EDS、SIMS、XRD、FLIM和AS分析晶粒尺寸、元素分布、结晶度、载流子寿命和缺陷态。
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