正丁胺掺杂对钙钛矿发光二极管性能的影响

摘要： 钙钛矿发光二极管（PeLEDs）的效率主要受限于漏电流和非辐射复合。本研究引入正丁胺（BA）来调控钙钛矿薄膜生长并提升PeLEDs性能，详细探究了BA掺杂对钙钛矿薄膜结构、光学及电学特性的影响。结果表明：BA会钝化晶粒表面并抑制晶体生长，从而增强辐射复合；但过量BA会使薄膜疏松并重新形成漏电通道，其电学损害超过光学增益。因此，只有适度掺杂BA才能获得最优性能的PeLEDs。