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光电子化学蚀刻InGaN量子点模板上InGaN量子点的可控生长
摘要： 采用光电化学（PEC）刻蚀的InGaN量子点（QDs）模板，实现了对InGaN量子点的可控生长。通过金属有机化学气相沉积的自组装（SA）方法，在由平面GaN和PEC刻蚀InGaN QDs构成的模板上生长InGaN QDs以进行对比。InGaN QD模板是通过对平面GaN上的InGaN层进行量子尺寸控制的PEC刻蚀形成的，其产生的量子点半径具有统计平均值（μ）为17.3 nm、标准偏差（σ）为6.2 nm，密度为1.2 × 101? cm?2。PEC刻蚀的QDs上覆盖AlGaN中间层和GaN势垒层，以恢复平面表面形貌，便于后续进行QDs的SA生长。PEC QD模板通过PEC QDs附近的局域应变起到种子作用，从而改善SA QD生长的可控性。与平面GaN模板上生长的SA QDs（半径μ = 37.8 nm，σ = 17.8 nm）相比，PEC QD模板上SA生长的QDs更小且具有可控半径（μ = 21.7 nm，σ = 11.7 nm）。此外，PEC QD模板上SA QDs的点密度约为平面GaN模板（8.1 × 10? cm?2）的3倍，且更接近模板的底层密度。在两种模板上还生长了由4周期SA QDs和AlGaN/GaN中间层/势垒层组成的多量子点（MQDs）。与平面GaN上生长的MQDs相比，PEC QD模板上生长的MQDs在势垒层生长后能更好地保持平面化光滑表面，并在室温下展现出约3倍更强的光致发光（PL）强度。
关键词： 金属有机化学气相沉积、氮化物、量子点、发光二极管、原子力显微镜、光电化学蚀刻
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过光电化学蚀刻技术研究蚀刻时间效应以增强硅纳米结构光探测器器件
摘要： 通过光电化学蚀刻（PECE）技术从n型硅制备多孔硅（PS）。利用扫描电子显微镜（SEM）研究了不同蚀刻时间形成的PS样品的形貌特性，结果显示孔层具有海绵状结构，且PS层的平均孔径随蚀刻时间增加而增大。X射线衍射（XRD）图谱表明样品具有纳米晶特性，在这些结果中，我们展示了PS光电探测器在一系列波长上改善的性能。
关键词： 形貌特性、多孔硅、光电探测器、光电化学蚀刻
更新于2025-09-19 17:13:59
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高效改性双金属合金纳米颗粒多孔硅气体传感器用于一氧化碳气体检测过程
摘要： 研究了嵌入金、钯单金属及金-钯双金属纳米颗粒对多孔硅基气体传感器的影响。通过波长约635纳米、激光功率密度25毫瓦/平方厘米的光电化学蚀刻法制备了多孔硅层P-Si。采用离子还原法制备AuNPs/P-Si、PdNPs/P-Si和Au-PdNPs/P-Si异质结构，即将新鲜P-Si分别浸入含HAuCl4、PdCl2及1:1混合溶液的盐溶液中处理约（1.2、5和2分钟）。通过扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）和能量色散X射线分析（EDS）对样品进行了表征。实验发现，经最小尺寸双金属Au-Pd纳米颗粒修饰的多孔硅P-Si气体传感器具有最佳气体传感性能。与裸P-Si及单金属纳米颗粒传感器相比，由于高比表面积特性，双金属合金纳米颗粒修饰的多孔硅在灵敏度和响应时间方面均获得显著提升。
关键词： 灵敏度，离子还原过程，单金属，光电化学蚀刻（PECE），双金属，一氧化碳气体
更新于2025-09-09 09:28:46