研究目的
研究蚀刻时间对光电化学蚀刻（PECE）技术制备的多孔硅（PS）形貌特性的影响及其对PS光电探测器性能的影响。
研究成果
研究表明，增加蚀刻时间会导致PS材料孔径增大并形成海绵状结构，进而影响材料的反射率和电学性能。PS光电探测器在可见光波段的响应度和量子效率得到提升，使其适用于光学应用。
研究不足
该研究仅限于n型硅片，未探究超出规定参数的电流密度或氢氟酸浓度变化的影响。虽然注意到表面氧化的可能性及其对器件稳定性的影响，但未深入探讨。
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通过光电化学蚀刻技术研究蚀刻时间效应以增强硅纳米结构光探测器器件
DOI：10.1016/j.ijleo.2020.164325
期刊：Optik
出版年份：2020
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
通过光电化学蚀刻（PECE）技术从n型硅制备多孔硅（PS）。利用扫描电子显微镜（SEM）研究了不同蚀刻时间形成的PS样品的形貌特性，结果显示孔层具有海绵状结构，且PS层的平均孔径随蚀刻时间增加而增大。X射线衍射（XRD）图谱表明样品具有纳米晶特性，在这些结果中，我们展示了PS光电探测器在一系列波长上改善的性能。
作者：
Nour A. Abdulkhaleq，Abbas K. Hasan，Uday M. Nayef
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