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oe1(光电查) - 科学论文

18 条数据
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  • Zn-In-Se薄膜导电特性研究

    摘要： 在经超声波清洗并覆盖三叶草形掩模的玻璃基底上，通过元素源热蒸发法制备了Zn-In-Se薄膜。研究了该薄膜在黑暗和光照条件下的温度依赖性电导特性。热探针测试表明该薄膜为n型半导体。根据范德堡技术，暗态电导分析显示未退火及300°C退火样品的电导率变化呈指数型温度依赖关系。这些电导曲线在高温区由热电子发射主导，而低温区行为则符合跳跃传导理论模型。相反，随着退火温度进一步升高，样品表面呈现类半金属特性并偏离预期的阿伦尼乌斯行为。此外，还分析了不同光照强度下薄膜的温度依赖性光电导，其结果可通过基于双中心复合模型的超线性特性得到解释。

    关键词： 光电导性、薄膜、退火、输运特性

    更新于2025-09-23 19:04:06

  • 含四核铜配合物Cu4L4(OCH3)4（L? = N,N′-二苄基-N″-三氯乙?；兹０罚┑木酆衔锉∧じ春喜牧系墓夥匦?

    摘要： 一项研究采用有机配合物Cu4L4(OCH3)4分子内电荷转移化合物作为敏化剂，对苯乙烯与甲基丙烯酸壬酯共聚物与掺杂四核金属配合物（L(2)=N,N-二苄基-N'(3)-三氯乙?；兹０罚┑木?N-环氧丙基咔唑薄膜复合材料的光伏和光电导特性进行了研究。在可见光谱范围内，这些复合材料具有空穴型光电导性，其内部光电效应与金属配合物分子和敏化剂的光生载流子有关。研究发现，聚合物复合材料中的金属配合物分子提高了非平衡载流子光生效率，从而影响了复合材料的光伏特性。

    关键词： 聚合物复合材料、金属配合物、光伏材料、光电导性、自旋转换

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 手性晶体在可见光谱中表现出强体光伏效应

    摘要： 具有大拓扑数的多折费米子结构手性材料因其天然较长的表面费米弧和体相量子化圆偏振光生伏打效应（CPGE）而备受关注。多折费米子仅存在于金属态中，因此迄今为止大多数研究都聚焦于手性晶体结构化合物中的半金属。本工作表明，结构手性的拓扑平庸绝缘体也是具有应用研究价值的特殊状态——它们在可见光波段天然具备产生大体积光伏效应的优势。近几十年来，所有实验报道中可见光波段的位移电流上限仅为10 μA/V2。通过扫描手性结构绝缘体，我们发现一类光导率介于~20至~80 μA/V2之间的化合物，其数值可与迄今报道的最大位移电流相媲美。本研究表明手性结构化合物能在二阶光学响应中同时承载量子化CPGE和强位移电流。此外，通过聚焦此前光伏技术中被忽视的手性格子绝缘体，本研究为位移电流研究及其未来应用提供了优质平台。

    关键词： 光电导性、手性晶体、位移电流、体光伏效应、可见光谱

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 具有碳纳米管增强光响应的金属-绝缘体-半导体异质结构中的偏置可调光电电流

    摘要： 制备并研究了具有整流电流-电压特性及可见光与近红外光谱感光性的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）异质结构。研究表明，在接触区域添加多层碳纳米管薄膜可使光电流增强，在0.1 mW cm?2白炽灯光照下实现超过100 mA W?1的响应度。通过基于两个非对称背靠背肖特基势垒的能带模型，解释了MISIM异质结构在低偏压与高偏压下的光电特性：异质结正向电流源于多数载流子越过较低势垒的注入，而反向电流呈现两种导通机制——分别对应热/光生载流子的扩散以及多数载流子隧穿较高肖特基势垒。反向偏压下的两种导通机制形成两个平台区，其上光电流随光照强度线性增长，赋予探测器偏压可控的光电流特性。

    关键词： 肖特基结、碳纳米管、光电导性、异质结构、MISIM

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 自成核与聚合物介导的ZnO花状及双锥纳米结构的紫外-可见光响应特性

    摘要： 采用共沉淀法，以ZnO晶种制备花状氧化锌(ZnO)，以聚乙二醇(PEG)制备双锥状氧化锌，研究了其在紫外-可见光照射下的光电导性能。通过多种技术对合成的ZnO样品进行了表征。XRD谱图显示两种样品均呈现六方纤锌矿结构的ZnO。场发射扫描电镜(FESEM)图像分别显示出花状和双锥状的ZnO形貌。两种样品的紫外-可见吸收光谱因双锥状结构而具有两个吸收带边。与花状ZnO相比，ZnO双锥体表现出更高的光敏性。然而研究发现，与在空气中相比，真空环境能进一步增强ZnO双锥体的光敏性。

    关键词： 双锥体，氧化锌，种子，聚乙二醇，花朵，光电导性

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 等离子体增强反应热蒸发法制备的氧化铟薄膜的电学特性

    摘要： 研究了在不同基底温度下通过等离子体增强反应热蒸发法制备的透明氧化铟薄膜的结构与电学性能。发现这些薄膜具有晶粒结构?；孜露壬呋嵯灾岣弑∧さ牡绲悸什⑺醵坦獾绲汲谠ナ奔?。本文提出了对基底温度影响所研究氧化铟薄膜电学及光电性能变化机理的解释。

    关键词： 氧化铟薄膜、电学性能、衬底温度、光电导性、等离子体增强反应热蒸发

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 交联聚(丙烯酰胺共聚丙烯酸)光电性能研究及其在光电探测器中的应用

    摘要： 该共聚物聚丙烯酰胺-丙烯酸（P(AM-AA)）是通过以亚甲基双丙烯酰胺为交联剂，在丙烯酰胺与丙烯酸的化学聚合反应中制备而成。采用FTIR、XRD和DTA对该共聚物进行了分析。通过研究其I-V特性证实：复合过程依赖于能量间隙中分布的陷阱存在。结果表明这些陷阱显著提升了共聚物的光敏性。暗电导率与光电导率随温度的变化行为在不同光照强度下均呈现线性关系，并证明其具有单一激活能的激活传导特性。研究发现不同光照强度下的激活能（Ea）遵循Meyer-Neldel规则（MN规则），截距σo（前因子）亦然。指数型陷阱的特征能量在不同光照强度下介于0.0134–0.009 eV之间。该共聚物的瞬态光电导研究表明陷阱确实存在。其中高光敏性与陷阱的存在可能有助于提升光电探测器性能的改进。

    关键词： 聚丙烯酰胺共聚丙烯酸，迈耶-内尔德规则，光电导性

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 导致Cu(In,Ga)Se2中持续光电导的缺陷浓度：与材料成分的关系

    摘要： 在薄层Cu(In,Ga)Se2薄膜中，基于弛豫缺陷模型（这些缺陷根据其构型与电荷状态表现为施主或受主）讨论了持续光电导(PPC)现象。本研究旨在识别影响PPC强度的工艺相关因素。我们建立了评估薄层Cu(In,Ga)Se2薄膜中亚稳态缺陷浓度的方法——将其与热力学平衡态费米能级位置相关联，并据此比较分析了制备细节对PPC值的影响。主要结论是：偏离Cu/(Ga+In)Se2化学计量比不会改变亚稳态缺陷浓度；硒氛围下的沉积后退火对PPC的影响取决于处理过程中钠元素的存在；而钠元素本身对亚稳态缺陷浓度的影响，显然与其是在Cu(In,Ga)Se2沉积过程中存在还是在沉积后处理阶段引入有关。

    关键词： 薄膜，光电导性，铜铟镓硒，亚稳态，缺陷

    更新于2025-09-09 09:28:46