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oe1(光电查) - 科学论文

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  • Si纳米晶体的吸收截面随温度和距离的变化

    摘要： 通过基于调制泵浦下激发强度依赖性光致发光动力学分析的光致发光（PL）调制技术，测定了具有可变氧化层厚度单层及多层结构中硅纳米晶（Si NCs）的吸收截面（ACS）。我们明确证实：将势垒厚度从约1 nm增至2.2 nm（约两倍）时，ACS值降低至原来的1/1.5倍。计算得出约1.6 nm为使PL强度产率最大化的最佳分离势垒厚度。ACS值随势垒厚度的显著变化归因于缺陷能态分布或受限纳米晶层间能量转移效率的调控。当温度降至120 K时，ACS呈指数衰减的现象可通过低温下声子占据数减少及硅纳米晶带隙展宽来解释。本研究清晰表明：硅纳米晶的吸收截面不能视为与实验条件和样品参数无关的固定值。

    关键词： 硅纳米晶体、平均寿命、吸收截面、光致发光衰减、纳米晶体间距

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 胶体量子点的光致发光衰减：可逆捕获及相关陷阱态的本质

    摘要： 界面是决定胶体量子点（QDs）特性的关键因素，尤其是这些材料特有的尺寸依赖性光学性质。然而，即使是研究最深入的II-VI族量子点，其纳米晶光致发光（PL）衰减动力学与量子点相关界面的作用仍未完全阐明。特别需要指出的是，界面是陷阱位点的温床——控制这些陷阱对量子点器件的高效性能至关重要，因为陷阱会影响PL寿命并可能导致PL间歇现象。本研究分析了滴涂法制备的CdSe/ZnS量子点薄膜在室温下的PL衰减特性，通过改变多种因素（旋涂溶剂、封端配体、核壳界面特性）进行探究。我们证明：采用包含物理意义明确参数（时间常数、俘获/释放速率常数及每个量子点的平均陷阱数量）的可逆载流子俘获函数，能够获取与这些电荷载流子复合过程相关的关键界面信息，进而揭示陷阱态的本质。该方法适用于多种组分的量子点，也可推广至无机半导体之外的材料体系。

    关键词： 光致发光衰减、陷阱态、可逆俘获、CdSe/ZnS量子点、胶体量子点

    更新于2025-09-11 14:15:04