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Si纳米晶体的吸收截面随温度和距离的变化

DOI:10.3762/bjnano.8.231 期刊:Beilstein Journal of Nanotechnology 出版年份:2017 更新时间:2025-09-23 15:22:29
摘要: 通过基于调制泵浦下激发强度依赖性光致发光动力学分析的光致发光(PL)调制技术,测定了具有可变氧化层厚度单层及多层结构中硅纳米晶(Si NCs)的吸收截面(ACS)。我们明确证实:将势垒厚度从约1 nm增至2.2 nm(约两倍)时,ACS值降低至原来的1/1.5倍。计算得出约1.6 nm为使PL强度产率最大化的最佳分离势垒厚度。ACS值随势垒厚度的显著变化归因于缺陷能态分布或受限纳米晶层间能量转移效率的调控。当温度降至120 K时,ACS呈指数衰减的现象可通过低温下声子占据数减少及硅纳米晶带隙展宽来解释。本研究清晰表明:硅纳米晶的吸收截面不能视为与实验条件和样品参数无关的固定值。
作者: Michael Greben,Petro Khoroshyy,Sebastian Gutsch,Daniel Hiller,Margit Zacharias,Jan Valenta
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研究概述 实验方案 设备清单

确定单层和多层结构中硅纳米晶体(Si NCs)的吸收截面(ACS),这些结构具有可变的氧化层厚度和温度,并分析其对这些参数的依赖性。

硅纳米晶体的ACS随势垒厚度增加和温度降低而减小。约1.6纳米的最优势垒厚度可使PL强度产率达到最大值。这种变化归因于缺陷态的改变、纳米晶层间能量转移效率的变化,以及低温下的声子占据和带隙展宽。ACS并非独立于实验条件,这凸显了光电器件应用中精确控制参数的必要性。

该模型假设为准二能级系统,并因俄歇复合效应而忽略更高激发态。其仅在低激发条件下成立,以避免双激发的影响。俄歇寿命不易确定且变化范围较大。拟合模型可能无法完美捕捉复杂的衰减动力学,且在极低激发功率下ACS的测定存在噪声。70K以下的温度效应主要由辐射过程主导,而低温下向对数正态依赖关系的转变尚需验证。

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