- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
分布式反馈腔中的多波长胶体量子点激光器
摘要： 采用复杂光栅结构和柔性基底可实现多波长胶体量子点（CQD）激光器。该结构通过干涉光刻法制备出具有渐变周期的矩形腔体作为分布式反馈腔，再利用旋涂技术在该腔体表面沉积一层致密排列的CQD薄膜。研究对比了不同分布式反馈腔体结构的CQD激光器性能，最终基于柔性矩形腔实现了多波长激射。
关键词： 灵活、可调谐、分布式反馈、量子点激光器、多波长
更新于2025-09-23 15:21:01
-
适用于1.55微米光谱区的高耦合分布式反馈激光器
摘要： 本文描述了一种用于开发1.55微米光谱区域高耦合分布反?。―FB）激光器的技术。该激光器在宽温度范围内表现出稳定的单频输出，最大边模抑制比超过30分贝。
关键词： 单频激光、分布式反馈、半导体激光器、边模抑制比
更新于2025-09-16 10:30:52
-
基于磷化铟的2004纳米波长表面发射分布反馈激光器
摘要： 我们展示了基于磷化铟的埋入式光栅耦合面发射分布反?。―FB）激光器，其设计工作波长为2004纳米。该激光器结构包含三个铟镓砷锑/铟镓砷量子阱，采用5微米宽的双沟道脊形波导。通过二阶半导体/半导体光栅实现平面内反馈与垂直出射耦合。所制备激光器的单纵模发射波长可在2002.7至2006纳米范围内无跳模调节，在所有注入电流和温度条件下均能实现至少35分贝的高边模抑制比。在10摄氏度连续波模式下测得边缘输出功率达19毫瓦，同时面发射输出功率达到8毫瓦。
关键词： 分布式反馈、基于磷化铟、表面发射、量子阱激光器
更新于2025-09-12 10:27:22
-
具有表面光栅和侧壁光栅的InGaN/GaN分布反馈激光二极管
摘要： 多种潜在应用（如可见光通信）需要蓝光波段具有窄线宽和单波长发射的激光光源?；诘兀℅aN）的分布反馈激光二极管（DFB-LD）是满足这些要求的理想光源。本研究展示了采用相同外延衬底生长制备工艺、同时集成表面光栅与侧壁光栅的GaN DFB-LD，使得不同结构激光器具有可比性。通过电脉冲泵浦，分别实现了398.5 nm和399.95 nm的单峰发射，其半高全宽（FWHM）分别为0.32 nm和0.23 nm。表面光栅与侧壁光栅通过与p接触金属条共用电镀光刻和感应耦合等离子体刻蚀工艺制备。脊宽2.5 μm的DFB-LD比5 μm和10 μm脊宽器件具有更小的FWHM，表明窄脊宽有利于DFB-LD线宽的压缩。相同脊宽和光栅周期下，侧壁光栅DFB-LD的斜率效率高于表面光栅DFB-LD。本实验为优化光栅及GaN DFB-LD提供了可靠简便的方法。
关键词： 表面光栅、氮化镓激光二极管、侧壁光栅、分布式反?。―FB）
更新于2025-09-11 14:15:04
-
InAs/GaAs量子点双模分布反馈激光器在大调谐范围连续波太赫兹应用中的研究
摘要： 本文制备了一种基于调制p掺杂多量子点（InAs/GaAs）结构的侧向耦合分布反馈（LC-DFB）激光器。该器件在连续波（CW）工作状态下展现出>47 dB的高边模抑制比（SMSR）和dλ/dT=0.092 nm/K的高热稳定性，这主要归因于调制p掺杂与快速热退火（RTA）工艺制备的高材料增益，以及LC-DFB激光器中浅刻蚀光栅显著降低的波导损耗及其与激光脊结构的紧密接近。利用该DFB激光器的优异性能，通过精细设定激光脊两侧光栅结构的不同周期或结合缩短激光腔长，实现了宽范围可调谐双波长激射。两个激射模式间的波长间隔可在0.5至73.4 nm的极宽范围内灵活调节（对应频率差0.10至14 THz），这是单器件实现的最大调谐范围，为连续波太赫兹辐射的产生提供了新途径。
关键词： 半导体激光器，激光器，分布式反馈，光电子学，太赫兹成像，量子阱、量子线与量子点器件
更新于2025-09-11 14:15:04