研究目的
研究基于调制p掺杂多重InAs/GaAs量子点结构的横向耦合分布反?。↙C-DFB）激光器的制备与性能，用于连续波（CW）太赫兹（THz）应用。
研究成果
采用浅刻蚀光栅制备的1.3微米量子点LC-DFB激光器表现出优异性能，具有47分贝的大边模抑制比和良好的热稳定性。该器件实现了0.5至73.4纳米宽调谐范围的双波长激射，为连续波太赫兹辐射的产生提供了新途径。
研究不足
该研究聚焦于特定条件下LC-DFB激光器的制备与性能表现。这些激光器在实际太赫兹系统中的可扩展性与集成应用可能还需进一步优化。
1：实验设计与方法选择：
采用浅刻蚀光栅制备LC-DFB激光器，以避免过生长步骤并降低光栅刻蚀中的高宽比。该设计涉及调制p型掺杂和快速热退火（RTA）工艺以实现高材料增益。
2：样品选择与数据来源：
在硅掺杂GaAs（100）衬底上通过MBE系统生长InAs/GaAs量子点激光器结构。有源区由八层量子点堆叠构成。
3：实验设备与材料清单：
用于生长的MBE系统、用于SiO2沉积的PECVD、用于刻蚀的ICP、用于光栅定义的EBL以及用于表征的SEM。
4：实验流程与操作步骤：
制备过程包括定义脊形波导、光栅浅刻蚀以及欧姆接触沉积。激光器条带安装在铜散热器上以进行连续波工作条件下的测量。
5：数据分析方法：
通过P-I-V特性测试、发射波长温度依赖性以及SMSR和热稳定性的光谱分析来表征器件性能。
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获取完整内容-
MBE system
Growth of InAs/GaAs QD laser structures
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PECVD
Deposition of SiO2 layer
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ICP
Etching of ridge waveguide and gratings
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EBL
Definition of grating structures
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SEM
Characterization of LC-DFB structure
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