- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
基于单层石墨烯场效应晶体管的分布式放大器
摘要： 由于石墨烯沟道具有超高载流子迁移率和极低电阻率，石墨烯场效应晶体管（GFET）成为未来射频与微波电子器件的理想候选器件。本文介绍了现有GFET紧凑型电路级模型的研究进展，并基于漂移-扩散输运理论实现了适用于射频/微波电路分析的Verilog-A模型。最终采用先进设计系统（ADS）工具，基于该GFET模型设计了一款分布式放大器（DA）。仿真结果显示：在1.5V电源电压下，该放大器增益达8dB，输入/输出回波损耗小于-10dB，-3dB带宽覆盖直流至5GHz范围，功耗约60.45mW。最后将该分布式放大器的主要性能参数与0.18μm CMOS工艺进行了对比分析。
关键词： 微波、ADS、分布式放大器（DA）、石墨烯场效应晶体管（GFET）
更新于2025-09-23 15:22:29
-
[IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018.9.23-2018.9.25)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 基于0.13μm SiGe工艺的增益增强型52-142 GHz带通分布式放大器（f<inf>max</inf>达210GHz）
摘要： 提出了一种带通增益增强型分布式放大器。该放大器在97 GHz中心频率下实现了90 GHz带宽，工作频率最高可达晶体管fmax的0.67倍。通过采用新型增益增强共源共栅结构及带通传输线，显著提升了放大器的带宽和最高工作频率。在fmax为210 GHz的0.13微米SiGe工艺中，该放大器在52 GHz至142 GHz范围内实现了14.4 dB的平均增益。
关键词： 带通放大器、增益提升、分布式放大器、毫米波硅射频集成电路、最大振荡频率（fmax）、锗硅（SiGe）
更新于2025-09-04 15:30:14
-
[IEEE 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 西班牙马德里(2018年9月26日至28日)] 2018年第15届欧洲雷达会议(EuRAD) - 一种工作频率为直流至40GHz、高线性度、低直流功耗的单片砷化镓分布式放大器，作为高速率预驱动器
摘要： 本文介绍了一款用于光驱动应用的六级砷化镓单片微波集成电路（MMIC）分布式放大器（DA）的设计与性能。该放大器采用商用0.15微米砷化镓p-HEMT工艺制造，在40GHz的3dB带宽内实现13dB小信号增益，功耗为550毫瓦。其群延迟时间变化在30GHz范围内仅±7皮秒。输出功率高于16dBm（4Vpp），使其适合作为铌酸锂（LiNbO3）光调制器驱动器的前置放大器。通过眼图质量评估，该分布式放大器作为12.5GBps PAM-4（25Gbps）光系统调制器驱动器的组成部分得到了验证。
关键词： 光驱、铌酸锂（LiNbO3）光学调制器、电光调制、宽带放大器、光放大器、调制器、行波放大器、预驱动器、单片微波集成电路（MMIC）、分布式放大器
更新于2025-09-04 15:30:14