研究目的
针对光驱动器应用设计的六级砷化镓单片微波集成电路(MMIC)分布式放大器及其性能评估,重点实现高线性度、低直流功耗,并适合作为铌酸锂光调制器驱动器的前置放大器。
研究成果
设计的六级砷化镓单片微波集成电路分布式放大器作为铌酸锂光调制器驱动器的前置放大器表现出优异性能,在40 GHz带宽内实现13 dB小增益、低功耗和极小的群延迟变化。通过12.5 Gbps PAM-4传输实验验证了其适用于高速率应用场景。
研究不足
该研究聚焦于特定技术(0.15微米砷化镓p-HEMT)与应用(铌酸锂调制器光驱动),可能限制其适用于其他技术或场景。实验验证仅针对12.5吉比特每秒PAM-4系统,在更高比特率系统中开展进一步测试将更具价值。
1:实验设计与方法选择:
该设计采用0.15微米GaAs p-HEMT工艺的六级GaAs MMIC分布式放大器。通过增益、带宽、功耗、群延迟变化和输出功率等指标评估放大器性能。
2:15微米GaAs p-HEMT工艺的六级GaAs MMIC分布式放大器。通过增益、带宽、功耗、群延迟变化和输出功率等指标评估放大器性能。
样本选择与数据来源:
2. 样本选择与数据来源:对制造的放大器进行测试,并将性能参数与仿真结果及既有研究进行对比。
3:实验设备与材料清单:
放大器采用0.15微米赝配GaAs HEMT工艺制造,使用外部旁路元件控制低频响应。
4:15微米赝配GaAs HEMT工艺制造,使用外部旁路元件控制低频响应。
实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:测试放大器的小信号增益、输入/输出匹配、群延迟变化及输出功率,并在12.5 Gbps PAM-4光通信系统中进行验证。
5:5 Gbps PAM-4光通信系统中进行验证。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:对比仿真与实测的性能参数,并与领域内既有研究成果进行比较。
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