[2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019年6月16日-2019年6月21日）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - III-V族材料生长腔室退火过程中硅寿命退化的起源

摘要： 在III-V材料生长腔室中，硅体寿命的退化一直是阻碍III-V/Si叠层太阳能电池发展的主要因素。虽然导致这种退化的确切机制尚不清楚，但许多研究者将其归因于生长过程中扩散到硅体内的外在污染物。本研究表明，直拉区熔硅片中本征缺陷的热激活也是造成这种退化的关键机制之一。要维持硅体寿命，既需要在1000°C下对硅片进行退火以消除这些缺陷，又需要沉积SiNX扩散阻挡层。