1：实验设计与方法选择：

本研究探究硅寿命退化的外源与内源成因，重点关注直拉单晶硅片中的原生缺陷及SiNX扩散阻挡层的有效性。

2：样本选择与数据来源：

采用弗吉尼亚半导体公司提供的3英寸、350微米厚、1-5 Ω·cm p型掺杂斜切区熔硅片。

3：实验设备与材料清单：

Veeco GEN930分子束外延系统、SEMCO氧化炉、Tempress AMTECH烧结炉、Sinton WCT-120少子寿命测试仪、BT Imaging LIS-R1光致发光成像系统。

4：实验流程与操作步骤：

通过RCA标准清洗硅片，经多温度退火处理后用碘乙醇溶液钝化，采用准稳态光电导法进行寿命测量。

5：数据分析方法：

通过分析少子寿命与光致发光图像，评估退火工艺与阻挡层对硅体寿命的影响。