高性能MoSe2同质结红外光电探测器

摘要： 具有独特结构和物理特性的二维材料亟待开发利用，有望应用于下一代电子器件和红外探测器。与异质结器件相比，同质结器件因不存在界面问题（如非故意引入的杂质和电荷俘获位点）而成为理想且极具前景的选择。本研究报道了一种高性能二硒化钼（MoSe2）同质结红外光电探测器。该MoSe2同质结器件直接由厚层与薄层MoSe2构成，其二极管展现出随背栅电压变化的正向/反向整流特性差异。值得注意的是，该MoSe2同质结光电探测器在室温下具有从可见光到近红外的宽波段光电响应，在940纳米激光照射下的响应度约达2.25安培/瓦，比探测率超过10^10琼斯。本发现为制备可行同质结器件提供了优异途径，同时同质结器件在新颖电子与光电器件领域也展现出巨大潜力。