研究目的
展示具有不同整流特性和高性能红外光电探测器的MoSe2同质结二极管。
研究成果
通过调节背栅电压，成功制备了具有独特整流特性的MoSe2同质结二极管及光电探测器，在近红外探测中展现出良好的响应度和比探测率。该研究为红外光电探测器的制备提供了新途径，并显示出其在先进多功能电子器件领域的应用潜力。
研究不足
器件的性能可能受到界面处非故意杂质以及大规模生产工艺可扩展性的限制。
1：实验设计与方法选择：
通过机械剥离和标准电子束光刻工艺制备了MoSe2同质结器件。
2：样品选择与数据来源：
MoSe2晶体由2D Semiconductors公司提供。
3：实验设备与材料清单：
用于拉曼光谱的HR 800设备、原子力显微镜（布鲁克MultiMode 8）、开尔文探针力显微镜（布鲁克MultiMode 8）、用于电学表征的Lake Shore探针台、Thorlabs公司提供的520 nm和940 nm激光器、共聚焦显微镜以及用于时间分辨光响应的安捷伦2902半导体参数分析仪、用于光响应速度测试的泰克示波器MDO3014。
4：8）、开尔文探针力显微镜（布鲁克MultiMode 8）、用于电学表征的Lake Shore探针台、Thorlabs公司提供的520 nm和940 nm激光器、共聚焦显微镜以及用于时间分辨光响应的安捷伦2902半导体参数分析仪、用于光响应速度测试的泰克示波器MDO3014。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：将MoSe2薄片机械剥离并转移至硅衬底，随后进行旋涂、电子束光刻、Cr和Au薄膜的热蒸发以及剥离工艺。
5：数据分析方法：
响应度和比探测率采用标准公式计算。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Tektronix Oscilloscope MDO3014
MDO3014
Tektronix
Measurement of photoresponse speed of MoSe2 photodetectors under 520 nm laser illumination
-
Atomic force microscopy
Bruker MultiMode 8
Bruker
Identification of the thickness of the exfoliated MoSe2 flakes
-
Kelvin probe force microscopy
Bruker MultiMode 8
Bruker
Identification of the surface potential of thickness-varying MoSe2 flakes
-
Agilent 2902 semiconductor parameter analyzer
2902
Agilent
Measurement of time-dependent photoresponse of MoSe2 homojunction photodetectors
-
HR 800
Characterization of Raman spectra of MoSe2 flakes with different thicknesses
-
lakeshore probe station
Electrical characterizations of MoSe2 homojunction diodes
-
520 nm and 940 nm lasers
Thorlabs
Illumination for photodetectors
-
confocal microscopy
Measurement of time-dependent photoresponse of MoSe2 homojunction photodetectors
-
登录查看剩余6件设备及参数对照表
查看全部
