55.1： <i>特邀论文：</i> 实现200毫米GaN-on-Si LED外延片的高均匀性以应用于微LED

摘要： 微显示技术面临的主要挑战之一是降低成本/提高良率并建立卓越的可制造性。与传统的蓝宝石基氮化镓（GaN-on-Sapphire）LED外延片相比，硅基氮化镓（GaN-on-Si）LED外延片为整个微显示制造流程提供了根本性的成本优势。然而由于硅基氮化镓外延生长的技术难度，这种成本优势在微显示应用中的实际体现尚未普及。本次展示中，我们通过精准的应力工程实现了优异的发光均匀性与良好的应力控制，这为在整个微显示供应链中发挥硅基氮化镓LED外延片的优势开辟了道路，从而显著降低成本并实现高良率量产。