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55.1： <i>特邀论文：</i> 实现200毫米GaN-on-Si LED外延片的高均匀性以应用于微LED

DOI：10.1002/sdtp.13581 期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 微显示技术面临的主要挑战之一是降低成本/提高良率并建立卓越的可制造性。与传统的蓝宝石基氮化镓（GaN-on-Sapphire）LED外延片相比，硅基氮化镓（GaN-on-Si）LED外延片为整个微显示制造流程提供了根本性的成本优势。然而由于硅基氮化镓外延生长的技术难度，这种成本优势在微显示应用中的实际体现尚未普及。本次展示中，我们通过精准的应力工程实现了优异的发光均匀性与良好的应力控制，这为在整个微显示供应链中发挥硅基氮化镓LED外延片的优势开辟了道路，从而显著降低成本并实现高良率量产。
作者： A. Nishikawa，A. Loesing，B. Slischka
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

通过在硅基氮化镓LED外延片中进行精确的应变工程，展示微间距LED应用中具有良好应变控制的优异发光均匀性，旨在降低成本并提高良率。

研究成果

该研究通过精确的应变工程，在200毫米硅基氮化镓LED外延晶圆上成功实现了卓越且可重复的发光均匀性，同时达到了所有与生产相关的规格参数。这一突破为显著降低成本和实现微LED供应链中的高良率制造铺平了道路。

研究不足

该研究承认，通过精密的基座设计和更高精度的加工工艺，排放均匀性有望得到进一步改善。由于温度测量精度问题导致的实际温度与测量温度之间的偏差表明，在重现性方面仍有改进空间。

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