摩尔浓度对采用经济型射流雾化器喷雾热解技术制备的氧化铜薄膜结构、光学、形貌及电学性能的影响

摘要： 采用简单且成本效益高的射流雾化器喷雾热解法，分别以0.1、0.2和0.3 M的不同摩尔浓度（命名为J1、J2和J3）制备了氧化铜（CuO）薄膜。研究了摩尔浓度对CuO薄膜结构、光学、形貌及电学性能的影响。结构研究表明，所制备的CuO薄膜为单斜晶系结构，与标准JCPDS卡片No. 89-5899相符。通过表面轮廓仪测定的CuO薄膜厚度随摩尔浓度增加而增大。采用Kubelka-Munk（K-M）法测得的光学带隙分别为：J1为2.1 eV，J2为1.9 eV，J3为1.8 eV。通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）和X射线能谱分析（EDAX）研究了CuO薄膜的形貌特性和化学成分。FESEM显示所有制备的CuO薄膜均良好覆盖并附着于基底，具有优异的均匀性，EDAX光谱证实存在铜（Cu）和氧（O）。根据D3330测试方法采用透明胶带测试确定了附着力强度。对CuO薄膜的电导率进行了研究，测得最大电导率为2.75×10?? S/cm。