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oe1(光电查) - 科学论文

15 条数据
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  • 用于钙钛矿太阳能电池的二氧化钛表面改性

    摘要: 氧化钛(TiO2)通常被用作常规结构钙钛矿太阳能电池(PSCs)的电子传输层(ETL);然而,它存在固有缺陷,如电子迁移率低和陷阱态密度高。实践证明,通过表面化学改性来增强关键电子传输特性是一种简便高效的方法,从而可提升器件性能。本综述总结了平面PSCs中TiO2表面改性的最新进展,阐明了不同改性剂在提升器件性能中的作用机制,揭示了改性剂的化学与电子结构对TiO2特性的影响规律,这为开发新型TiO2改性材料以实现高效PSCs提供了新思路。

    关键词: 二氧化钛、钙钛矿太阳能电池、器件性能、表面改性、电子传输层

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [纳米结构科学与技术] 纳米线电子学 || 金属-半导体化合物接触与纳米线晶体管

    摘要: 半导体纳米线[1-4]是下一代超小尺度电子器件[5-7]和光电器件[8-10]极具前景的构建???。要实现这些超小尺度器件的开发、成熟与高效运行,关键在于深入理解并精确控制无光刻自对准栅极设计中化合物接触形成时伴随的相变过程[11,12]。此处"化合物"特指金属与半导体元素间具有固定化学计量比的生成相,以区别于可能包含非化学计量比或非晶结构的广义"合金"概念。这种区分至关重要,因为形成低电阻、晶态且热稳定的化合物接触最有利于保障超小尺度半导体晶体管的可靠功能。通常,化合物接触的相态及其与纳米线(NW)的界面特性会显著影响纳米线沟道中的能带排列与电荷注入,这就要求我们详细研究金属-半导体固态反应——包括生成的化合物相、反应动力学及其与器件性能的关联。本章将围绕这三个主题展开全面论述。

    关键词: 金属-半导体固态反应、化合物接触、反应动力学、相变、半导体纳米线、器件性能

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 钙钛矿的"收获-恢复-再生"循环机器学习研究

    摘要: 钙钛矿光伏材料兼具高效与低成本优势,但其性能具有动态特性。本观点文章探讨了水汽、氧气、偏压、温度及光照对器件性能及恢复能力的影响。首先,我们阐述了评估钙钛矿材料经历"再活化-静置-恢复"(3R)循环的关键实验,以及机器学习如何助力确定各运行参数的最优值;其次分析了钙钛矿材料的动态特性与退化机制,重点讨论该3R循环面临的研究挑战;随后概述了可识别环境因素对不同钙钛矿组分恢复过程影响的实验方案;最后提出通过机器学习范式实现长期性能最大化与器件恢复预测的方法,包括构建共享知识库。通过将钙钛矿光电暂态特性置于"恢复"而非"退化"的视角下重新审视,我们揭示了一系列研究机遇及实现这类潜力光伏材料商业化所需的人工智能解决方案。

    关键词: 机器学习、钙钛矿光伏技术、环境因素、再吸收-再休息-再恢复循环、器件性能

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 在柔性衬底上采用高功函数接触的低电压工作单壁碳纳米管薄膜晶体管

    摘要: 关于高性能薄膜晶体管(TFTs),人们不断尝试通过改善源/漏电极(S/D)与沟道之间的电荷注入来提升性能。本文研究了采用合适功函数材料时电接触对单壁碳纳米管(SWCNT)TFT器件性能的影响。为实现S/D与SWCNT有源沟道间以空穴注入为主导的电接触,我们采用经优化工艺制备的高功函数材料三氧化钼(MoOx)。通过绘制具有钯和MoOx接触的SWCNT-TFT的宽度归一化电阻随沟道长度变化的曲线,提取了接触电阻值。我们还展示了在柔性聚酰亚胺衬底上采用低电阻电接触的低电压工作SWCNT TFT。在不使用广泛用于改善柔性衬底上TFT器件性能的缓冲膜的情况下,实现了高性能低电压工作的SWCNT-TFT。

    关键词: 柔性衬底、电荷注入、器件性能、高功函数接触、单壁碳纳米管薄膜晶体管

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 氧退火对HfIZO薄膜晶体管器件性能的修复作用

    摘要: 基于金属氧化物的薄膜晶体管(氧化物TFT)在需要高开关和驱动性能的下一代电子产品(如透明显示器)中极具应用前景。本研究展示了一种优化工艺:通过氧退火后处理,在非晶铪铟锌氧化物(a-HfIZO)TFT中实现了优异器件性能,并使阈值电压有利地向0V偏移。这种增强源于氧退火减少了与氧空位相关的界面态密度,从而改善了栅极介质层与半导体层之间的界面特性。器件统计数据证实了器件间及批次间的均匀性得到提升。我们还报道了此类氧化物TFT在长期紫外照射下的光致稳定性,这对透明显示器具有重要意义。

    关键词: 薄膜晶体管、氧退火、HfIZO、光致稳定性、器件性能

    更新于2025-09-04 15:30:14