基于物理的源极/沟道上栅极SOI TFET电容模型

摘要： 提出了一种基于表面势的栅极-源极-沟道硅绝缘体（SOI）隧穿场效应晶体管（GOSC TFET）解析电容模型。该模型中电容明显由栅-源电容分担，从而降低了米勒电容并提升了电路应用中的开关速度。研究详细分析了漏极电压、栅极电压、栅氧化层厚度和源区掺杂对电容的影响。建模表面势与技术计算机辅助设计（TCAD）模拟结果的高度吻合确保了电容计算的准确性。通过将模型结果与仿真结果对比验证了电容模型的有效性，两者良好的一致性证实了模型公式的正确性。