研究目的
提出一种基于表面势的栅极-源极-沟道硅上绝缘体（SOI）隧穿场效应晶体管（GOSC TFET）解析电容模型，并分析不同参数对电容的影响。
研究成果
已开发出一种GOSC SOI TFET的解析电容模型，该模型与TCAD仿真结果高度吻合。研究表明，GOSC TFET的电容主要由栅-源电容贡献，这使得其米勒电容较全栅沟道TFET显著降低，从而在电路应用中具有更优的开关速度。
研究不足
该研究聚焦于具有栅源重叠和栅漏欠叠结构的SOI TFET，若不做修改可能无法直接适用于其他TFET结构。
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基于物理的源极/沟道上栅极SOI TFET电容模型
DOI：10.1049/mnl.2018.5214
期刊：Micro & Nano Letters
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
提出了一种基于表面势的栅极-源极-沟道硅绝缘体（SOI）隧穿场效应晶体管（GOSC TFET）解析电容模型。该模型中电容明显由栅-源电容分担，从而降低了米勒电容并提升了电路应用中的开关速度。研究详细分析了漏极电压、栅极电压、栅氧化层厚度和源区掺杂对电容的影响。建模表面势与技术计算机辅助设计（TCAD）模拟结果的高度吻合确保了电容计算的准确性。通过将模型结果与仿真结果对比验证了电容模型的有效性，两者良好的一致性证实了模型公式的正确性。
关键词：
在低功耗异质结隧穿场效应晶体管中
载流子
作者：
Suman Kumar Mitra，Brinda Bhowmick
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