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基于i线光刻定义的周期性阳极的高功率单纵模双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器
摘要： 本文展示了一种无需再生长工艺的双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器。该器件基于周期性表面电流注入原理设计，实现了高功率单纵模输出。在4安培工作电流下，每个未镀膜端面获得超过1.2瓦的连续波输出功率；在3安培电流时，单纵模输出功率高达0.9瓦/端面（980纳米波长）。边模抑制比接近30分贝，3分贝光谱线宽小于2.7皮米。横向远场发散角仅14.5度，光束质量因子M2为1.7，实现了近衍射极限发射。本器件采用标准i线光刻工艺制造，在保证优异光谱与空间特性的同时提升了输出功率。凭借低成本、易加工的特性及卓越性能，该器件在高效泵浦源等商业应用领域具有重要潜力。
关键词： 双锥形、分布反馈激光器、增益耦合、半导体激光器
更新于2025-11-28 14:24:03
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基于I线光刻制备周期性阳极的窄条670nm增益耦合分布反馈激光器
摘要： 我们展示了一种中心波长约为670纳米的窄条形单纵模增益耦合分布反馈半导体激光器。仅通过i线光刻技术，我们制造出一种新型的微尺度无再生长岛状结构增益耦合光栅（无需纳米级光栅）。该蝶形封装器件在100毫安电流下光纤输出最大功率为48.1毫瓦，斜率效率达0.79瓦/安培。该激光器可实现从670.750至670.784纳米的连续调谐，边模抑制比超过40分贝，覆盖了锂原子的吸收峰。这种易于制备的器件作为光源，在锂原子探测器等多种应用中具有重要潜力。
关键词： 连续可调谐、增益耦合、分布反馈、半导体激光器
更新于2025-11-28 14:23:57