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《AIP会议录》[作者：SILICONPV 2018第八届晶体硅光伏国际会议——瑞士洛桑（2018年3月19-21日）] - 快速扩散杂质原子探针断层扫描及多晶硅吸杂效应研究
摘要： 本文展示了一种针对多晶硅中单个缺陷（如晶界）进行多尺度表征的方法。分析技术涵盖从宏观尺度的平均体寿命表征，到通过光致发光解析空间复合，最终采用透射菊池衍射和原子探针断层扫描对晶界的晶体学特征及杂质分布进行纳米级分析。该方法可用于表征缺陷及其对吸杂、氢钝化等工艺的响应。本文以"红区高性能多晶硅锯切损伤吸杂"为测试案例：在铸态和吸杂样品中，均观察到铜与铬富集于具有复合活性的随机取向晶界；吸杂后铜富集量减少，而扩散较慢的铬含量增加，可能表明存在内吸杂现象；在无复合活性的Σ3晶界处，吸杂前仅检测到氧元素，未发现过渡金属。
关键词： 多晶硅、晶界、吸杂、杂质、原子探针断层扫描
更新于2025-11-21 11:20:48
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低温暗退火作为多晶硅中LeTID的预处理方法
摘要： 光照和高温诱导衰减（LeTID）目前是晶体硅光伏技术中的一个严重问题，这促使人们开展了大量工作来理解其机理并加以缓解。我们发现，在典型太阳能电池制备流程的最后一步进行低温暗退火会显著影响LeTID特性，包括衰减强度和衰减动力学。虽然在200-240°C温度范围内进行相对较短的退火可能因使衰减强度翻倍而对LeTID产生不利影响，但在300°C下进行的优化退火则呈现相反趋势，为消除LeTID提供了有效手段。此外，我们证明暗退火过程中金属沉淀与溶解的模拟复合活性与实验结果相关，这为LeTID机理提供了一种可能的解释。
关键词： PERC（钝化发射极和背面电池技术）、降水、多晶硅、少数载流子寿命、光致衰减（LeTID）、硅中的铜
更新于2025-09-23 15:23:52
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非对称双沟道多晶硅薄膜晶体管的高压偏置应力抗扭结特性与高可靠性
摘要： 采用非对称设计的多晶硅（poly-Si）薄膜晶体管（TFT）被制造并研究，以抑制扭结效应并提高电学可靠性。非对称双沟道长度多晶硅TFT（ADCL）展现出最佳的扭结电流与漏电流抑制效果。技术计算机辅助设计模拟证实，在高漏源电压（VDS）下，ADCL能在TFT的浮空节点处产生适当的高压，从而缓解碰撞电离效应，改善跨导退化问题，使器件在热载流子应力作用下表现出高可靠性。
关键词： 扭结、可靠性、薄膜晶体管、热载流子应力、多晶硅
更新于2025-09-23 15:23:52
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硅凝固过程中晶粒演化的介观尺度模拟
摘要： 我们提出了一个用于介观尺度下计算硅定向凝固过程中晶粒演化的元胞自动机模型。首先，该方法应用于具有不同熔体/晶体界面形状的测试案例。其次，我们计算了具有界面形状演化原位观测的实验案例（Tandjaoui等人，2012年），其中还包含了孪晶效应。通过我们的计算可以重现两种孪晶交替出现的现象。所使用的概率对应于在0.6K过冷度下解析推导得出的数值（Lin和Lan，2017年）。该过冷度是具有小平面的沟槽的典型值（Miller和Popescu，2017年）。
关键词： 定向凝固、元胞自动机、多晶硅、格子玻尔兹曼方法
更新于2025-09-23 15:23:52
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[IEEE 2018年第七届可再生能源研究与应用国际会议（ICRERA）- 法国巴黎（2018.10.14-2018.10.17）] 2018年第七届可再生能源研究与应用国际会议（ICRERA）- 基于户外线性插值法的多晶硅与铜铟镓硒光伏组件衰减率计算
摘要： 我们提出通过户外线性插值法（LIM）计算光伏组件衰减率的方法。由于用于LIM的参考I-V曲线是基于实测I-V曲线并按季节生成的，预期I-V曲线的变化趋势可反映光伏组件的衰减情况。不仅最大功率的衰减率，包括短路电流和开路电压等其他参数的衰减率均可从预期I-V曲线中计算得出。本文计算了多晶硅和CIGS组件的户外衰减率。结果显示：多晶硅组件的最大功率衰减率为-0.4%/年，主要由短路电流降低导致；CIGS组件虽初始发电性能优于数据手册值，但其最大功率年衰减率达-2.1%/年，该衰减源于短路电流与开路电压的共同降低。
关键词： 光伏组件，铜铟镓硒，多晶硅，衰减，线性插值法
更新于2025-09-23 15:22:29
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氢对磷掺杂多晶硅薄膜影响的研究
摘要： 多晶硅广泛应用于微电子和光伏领域。该材料的主要问题是晶界处载流子复合会影响多晶硅太阳能电池的效率。为改善掺磷多晶硅薄膜的结晶质量和电学性能，研究人员进行了氢气热处理。这种处理使晶界处的悬挂键被占据并失活，从而提升了处理样品的光电性能。研究表明，氢对低掺杂浓度下电学特性的影响更为显著——在此条件下自由载流子浓度获得了20%的提升。此外，实验结果显示在多晶硅薄膜中引入氢元素可降低晶界处陷阱态密度。
关键词： 氢、钝化、太阳能电池、晶界、多晶硅
更新于2025-09-23 15:21:21
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蚀刻表面形貌各向异性对硅太阳能电池陷光效应及光伏转换效率的影响
摘要： 在12°C下，通过向酸性溶液中添加亚硝酸钠、聚乙二醇-聚乙烯醇和十二烷基苯磺酸处理130秒，获得了具有纳米级椭圆凹坑的均匀金刚石线锯多晶硅表面。该织构化表面呈现取向依赖性。氢/氘各向异性导致实验结果差异：入射光沿平行于锯痕方向时，其平均反射率（Rave）比垂直方向高22-27%。当银电极细栅线与锯痕平行时，光伏转换效率较垂直方向提高0.6-0.8%。这些结果表明利用锯痕可提升太阳能电池转换效率。
关键词： 酸蚀刻、多晶硅、纹理化、湿法化学蚀刻
更新于2025-09-23 15:21:01
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CsPbBr3量子点/多晶硅杂化结构的降频与减反射效应及其光伏性能增强研究
摘要： 过去二十年间，针对硅基太阳能电池开展了大量研究，但由于太阳光谱不匹配问题，其光电转换效率（PCE）仍存在局限。近期，下转换效应通过将紫外光子转化为可见光为提升电池性能提供了新途径。本研究合成了尺寸均一（10纳米）的溴化铯铅钙钛矿量子点（CsPbBr3 QDs），该材料对近紫外光具有强吸收特性并在515纳米处呈现显著光致发光（PL）峰，展现出下转换效应的应用潜力。我们制备并系统研究了CsPbBr3 QDs/多晶硅（mc-Si）复合结构太阳能电池。与纯mc-Si电池相比，复合电池在300-500纳米和700-1100纳米波长范围内外量子效率（EQE）显著提升，这归因于下转换效应及CsPbBr3 QDs通过形成异质结构产生的减反射特性。研究还详细分析了接触电阻与界面缺陷问题，最终优化确定两层CsPbBr3 QDs涂层方案，使太阳能电池实现了14.52%的最高光电转换效率。
关键词： 降频效应、太阳能电池、减反射性能、溴化铯铅钙钛矿量子点（CsPbBr3 QDs）、多晶硅（mc-Si）
更新于2025-09-23 15:19:57
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添加剂辅助银金属辅助化学蚀刻法制备多晶黑硅太阳能电池的研究进展
摘要： 银纳米颗粒在金刚线切割多晶硅（mc-Si）表面的均匀分布，对于采用银金属辅助化学刻蚀法（Ag-MACE）实现多晶硅织构化至关重要。本研究开发了一种含烷基酚聚氧乙烯醚的添加剂以优化Ag-MACE工艺，该添加剂能使银纳米颗粒在硅片表面均匀沉积，从而确保整个硅片表面形成一致的纳米结构织构。实验结果表明，该添加剂能改善太阳能电池的外观与性能，包括降低反射率、提升转换效率、增强内外量子效率等。采用该添加剂通过Ag-MACE工艺批量生产的多晶硅太阳能电池实现了19.51%的最高转换效率，较未使用添加剂制备的电池（19.16%）有显著提升。
关键词： 金属辅助化学蚀刻、添加剂、金刚线锯、均匀纹理、太阳能电池、多晶硅
更新于2025-09-23 15:19:57
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 超薄LPCVD氮化硅/n+多晶硅钝化接触——一种可能性？
摘要： 本研究探索了在SiNx/多晶硅钝化接触中使用具有高正固定电荷的超薄氮化硅(SiNx)薄膜的可能性。通过优化以下因素：(i)薄膜厚度、(ii)退火条件(时间、温度及环境)和(iii)表面预处理，提升了超薄LPCVD SiNx薄膜的钝化性能。初步实验表明，当约1.5 nm厚的LPCVD SiNx薄膜在800°C空气环境中退火30分钟时，展现出优异的表面钝化效果和低复合电流密度Jo(45 fA·cm?2)，这归因于形成了高正固定电荷密度(1.5×1012 cm?2)。经空气环境退火(465 μs)处理的样品相比形成气体退火(208 μs)处理的样品具有更长的少子寿命。这些钝化SiNx薄膜进一步集成到SiNx/n?多晶硅接触结构中，并对Jo,contact和隧穿电阻ρcontact进行了表征。本研究中最佳的SiNx/n?多晶硅钝化接触具有Jo,contact=5.9 fA·cm?2、ρcontact=0.525 Ω·cm2的参数，效率潜力超过22.75%。据我们所知，这是首次证实以SiNx作为介质隧穿层形成钝化接触的研究报告。
关键词： 多晶硅（poly-Si）、透射电子显微镜（TEM）、低压化学气相沉积氮化硅（LPCVD SiNx）、退火、少子寿命研究、钝化接触、氮化硅、隧穿层
更新于2025-09-23 15:19:57