研究目的
研究氢对磷掺杂多晶硅薄膜的影响，以提高其结晶质量和电学性能，用于微电子和光伏应用。
研究成果
氢气环境下的热处理能显著提升磷掺杂多晶硅薄膜的光电性能，尤其对低掺杂浓度情况，其原理是通过降低晶界处的陷阱态密度。实验观察到低掺杂水平下自由载流子浓度提升了20%。
研究不足
该研究聚焦于低至中等掺杂浓度，在较高掺杂水平下由于磷在晶界处偏析，氢的影响较不明显。
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氢对磷掺杂多晶硅薄膜影响的研究
DOI：10.1080/02670844.2018.1536377
期刊：Surface Engineering
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
多晶硅广泛应用于微电子和光伏领域。该材料的主要问题是晶界处载流子复合会影响多晶硅太阳能电池的效率。为改善掺磷多晶硅薄膜的结晶质量和电学性能，研究人员进行了氢气热处理。这种处理使晶界处的悬挂键被占据并失活，从而提升了处理样品的光电性能。研究表明，氢对低掺杂浓度下电学特性的影响更为显著——在此条件下自由载流子浓度获得了20%的提升。此外，实验结果显示在多晶硅薄膜中引入氢元素可降低晶界处陷阱态密度。
作者：
Meryem Mekhalfa，Bediaf Zaidi，Bouzid Hadjoudja，Baghdadi Chouial，Allaoua Chibani
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