硅晶圆宏观机械应力对室温光致发光信号的影响

摘要： 将单面抛光和双面抛光的硅晶圆置于聚丙烯晶圆容器中，施加不同局域应力水平与持续时间的机械应力。在施加局域机械应力前后，测量了硅晶圆的室温光致发光（RTPL）光谱。即使在去除机械应力生成夹具一年后，仍测得不同应力水平区域的RTPL强度发生显著变化（最高增幅达26%）。在去除夹具后49天内，仍能检测到局域机械应力对RTPL强度变化的显著影响。而在去除夹具450天后，测得局域机械应力的RTPL特征已基本完全弛豫。研究发现，RTPL强度对硅晶圆外施宏观机械应力及残余（或记忆性）内应力极为敏感，即便在外部机械应力生成夹具移除后依然如此。