研究目的
研究宏观机械应力对硅片室温光致发光信号的影响，并监测应力随时间的弛豫过程。
研究成果
宏观机械应力会显著影响硅晶圆的RTPL强度，这种变化可持续长达450天。应力记忆效应可能导致强度增加高达26%，进而影响电子特性。研究结果表明，在器件存储和封装过程中需谨慎管理应力，以防止性能波动。
研究不足
由于接触面积变化导致机械应力难以精确量化；长期使用可能存在表面污染；依赖RTPL技术而未采用拉曼光谱等校准应力测量方法；力值测量存在约50克的不确定性。
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硅晶圆宏观机械应力对室温光致发光信号的影响
DOI：10.1007/s11664-018-06921-w
期刊：Journal of Electronic Materials
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
将单面抛光和双面抛光的硅晶圆置于聚丙烯晶圆容器中，施加不同局域应力水平与持续时间的机械应力。在施加局域机械应力前后，测量了硅晶圆的室温光致发光（RTPL）光谱。即使在去除机械应力生成夹具一年后，仍测得不同应力水平区域的RTPL强度发生显著变化（最高增幅达26%）。在去除夹具后49天内，仍能检测到局域机械应力对RTPL强度变化的显著影响。而在去除夹具450天后，测得局域机械应力的RTPL特征已基本完全弛豫。研究发现，RTPL强度对硅晶圆外施宏观机械应力及残余（或记忆性）内应力极为敏感，即便在外部机械应力生成夹具移除后依然如此。
作者：
YEONGSIK YOO，WOO SIK YOO
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