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低温暗退火作为多晶硅中LeTID的预处理方法
摘要： 光照和高温诱导衰减（LeTID）目前是晶体硅光伏技术中的一个严重问题，这促使人们开展了大量工作来理解其机理并加以缓解。我们发现，在典型太阳能电池制备流程的最后一步进行低温暗退火会显著影响LeTID特性，包括衰减强度和衰减动力学。虽然在200-240°C温度范围内进行相对较短的退火可能因使衰减强度翻倍而对LeTID产生不利影响，但在300°C下进行的优化退火则呈现相反趋势，为消除LeTID提供了有效手段。此外，我们证明暗退火过程中金属沉淀与溶解的模拟复合活性与实验结果相关，这为LeTID机理提供了一种可能的解释。
关键词： PERC（钝化发射极和背面电池技术）、降水、多晶硅、少数载流子寿命、光致衰减（LeTID）、硅中的铜
更新于2025-09-23 15:23:52
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硅基悬空InAs-InAlAs核壳纳米线中载流子动力学的非接触光学表征
摘要： 在77K至293K温度范围内，对硅(111)衬底上外延生长的独立六方纤锌矿砷化铟/砷化铟铝(InAs-InAlAs)核壳纳米线进行了非接触式时间分辨泵浦-探测及外量子效率测量。本研究首次独立分析了基于InAs的纳米线中肖克利-里德-霍尔复合、辐射复合和俄歇复合过程。虽然发现肖克利-里德-霍尔复合系数比其他已报道InAs材料的平均实验值至少大两个数量级，但俄歇复合系数却小十倍。极低的俄歇复合率和较高的辐射率使得核壳纳米线在77K时估算的峰值内量子效率高达22%，这些纳米线有望成为高效中红外发射器的候选材料。通过用薄InAlAs壳层包覆纳米线钝化表面缺陷，观察到少数载流子寿命提升了两倍以上。
关键词： 俄歇复合率、辐射复合、肖克利-里德-霍尔复合、泵浦-探测光谱技术、核壳纳米线、表面/界面复合速度、少数载流子寿命
更新于2025-09-23 15:23:52
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电子和质子辐照对空间光伏用SiC钝化p型掺杂锗晶圆中少数载流子寿命的影响
摘要： 我们报道了电子和质子辐照对p型锗晶圆中有效少数载流子寿命（τeff）的影响。采用微波光电导衰减法（μW-PCD）评估少数载流子寿命，研究了1 MeV能量下τeff与p型掺杂浓度及电子/质子辐射注量的关系。通过辐照前后的τeff测量值估算少数载流子扩散长度——该参数对太阳能电池性能至关重要。当锗掺杂浓度介于1×101?至1×101? cm?3时，测得τeff范围为50-230微秒，对应扩散长度约500-1400微米。通过辐照不同厚度的锗寿命样品，实现了体寿命与表面复合速度的分离研究。基于文献资料讨论了可能的辐射诱导缺陷。
关键词： 空间光伏技术，少数载流子寿命，锗，表面钝化，辐照
更新于2025-09-23 15:19:57
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硅衬底改性对热蒸发制备的BaSi2薄膜结晶质量、光学及电学性能的改善及其在太阳能电池应用中的影响
摘要： 我们通过热蒸发法在改性硅(Si)衬底上生长了正交相二硅化钡(BaSi2)薄膜。采用金属辅助化学刻蚀法对硅衬底进行表面改性，并研究了刻蚀时间te对BaSi2薄膜结晶质量及光电性能的影响。结果表明：衬底改性能提升薄膜结晶质量和电学性能，降低光反射率并增强光吸收。当te为8秒时被选为硅衬底表面改性的最佳条件。此时获得的BaSi2薄膜推算短路电流密度达38 mA/cm2，霍尔迁移率为273 cm2/Vs，少数载流子寿命为2.3微秒。这些结果证实：在改性硅衬底上蒸镀的BaSi2薄膜是薄膜太阳能电池应用中极具潜力的吸光层材料。
关键词： 霍尔迁移率、衬底改性、光响应、硅化物半导体、二硅化钡、少数载流子寿命、光学特性、热蒸发
更新于2025-09-19 17:13:59