研究目的
分析和理解电子与质子辐照对空间光伏用表面钝化p型掺杂锗样品的影响，重点关注其对少数载流子寿命和扩散长度的作用。
研究成果
研究表明，电子和质子辐照会显著降低p型锗晶圆的少数载流子寿命，其退化程度取决于掺杂水平和辐照注量。尽管存在性能退化，低掺杂且经过钝化的锗晶圆仍有望用于下一代太空太阳能电池，尤其适用于中等辐照暴露的应用场景。
研究不足
该研究的局限性在于μW-PCD方法的检测限（约5微秒）以及因相互作用截面不同而无法直接比较电子与质子注量。锗中辐照诱发缺陷的本质尚未完全明确，且该研究未提供质子辐照下太阳能电池性能的详细预测。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用微波检测光导衰减（μW-PCD）法评估p型锗晶圆辐照前后的少数载流子寿命。
2：样品选择与数据来源：
使用无位错直拉法生长的4英寸不同掺杂浓度锗晶圆。
3：实验设备与材料清单：
配备Semilab系统的μW-PCD测量装置、用于表面钝化的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）反应器，以及电子/质子辐照设施。
4：实验流程与操作步骤：
锗晶圆经SixC1-x层叠钝化后，接受不同注量的1 MeV电子及质子辐照，随后测量少数载流子寿命。
5：数据分析方法：
通过有效少数载流子寿命分析估算扩散长度，并评估辐照对体复合与表面复合的影响。
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获取完整内容-
Semilab setup
μW-PCD
Semilab
Measuring the exponential decay of excess minority carriers after a short laser illumination.
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PECVD reactor
Deposition of amorphous SixC1-x:H layer for surface passivation.
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DISCO dicing saw
DISCO
Cutting samples out of Ge wafers.
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Ortec 439 digital current integrator
439
Ortec
Integrating the electron charge at the back of the sample during irradiation.
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