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[2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 日本京都 (2018.11.19-2018.11.21)] 2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 刚玉结构p型氧化铱薄膜研究及氧化铱/氧化镓异质结能带排列
摘要: 具有p型导电性的刚玉结构氧化铱,是形成高质量氧化镓pn异质结的有力候选材料。我们成功在蓝宝石衬底上制备了刚玉结构氧化铱薄膜。光学透过率测量显示该氧化铱的光学带隙约为3.0电子伏特。此外,通过X射线光电子能谱研究了氧化铱/氧化镓界面的能带排列,发现其呈现价带偏移3.3电子伏特、导带偏移1.0电子伏特的交错能隙(II型)结构。
关键词: p型氧化物半导体,带对齐,氧化镓
更新于2025-09-23 15:22:29