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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 蓝光发光二极管光学性能的尺寸效应

    摘要： 本文研究了尺寸效应对蓝光发光二极管（LED）光学性能的影响。通过制备具有不同有源区尺寸的LED并测试其光学特性，探究了关键物理机制。研究发现，与大面积LED相比，微型LED具有更好的光提取效率和散热性能，这可能归因于其周长与有源区面积比值较小。此外，由于在低脉冲宽度调制（PWM）电流密度下波长稳定，微型LED更适用于显示领域。

    关键词： 尺寸依赖性、微发光二极管、应变弛豫、光提取效率

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 低温量子点覆盖的Ge/Si异质结构中间层的形成：一项利用高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱的研究

    摘要： 采用峰值对算法结合拉曼光谱的高分辨率透射电镜图像软件分析方法，研究了含低温锗量子点的Ge/Si(001)结构中的晶格畸变。研究发现应力并未在量子点上方的厚硅层中扩散，而是通过形成薄混合成分边界层完全弛豫。但在锗覆盖层为10?的样品中，锗硅混合现象未出现在锗层下方。此外，对于锗覆盖层为6?或更低的样品，在锗层上下均未观察到混合现象。这可能是由于在低温沉积Ge/Si结构时，锗从锗小丘的{105}晶面而非锗润湿层向硅基体扩散占主导地位。确定发生强烈应力诱导扩散的临界硅覆盖层厚度范围为5至8纳米。

    关键词： 晶格应变，锗/硅量子点，峰对分析，高分辨透射电子显微镜，拉曼散射，应变弛豫

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 热处理和化学处理下紫外发光二极管（UV-LEDs）发光强度提升的机理

    摘要： 本研究探究了热退火与化学钝化对紫外发光二极管（UV-LED）光学及电学特性的影响。在10 mA电流下，经KOH处理与热退火处理的LED电致发光（EL）强度较初始制备器件分别提升了48%和81%。紫外LED的阴极荧光（CL）面扫描显示表面处理后非辐射复合中心密度未发生变化，且因缺乏表面原子迁移所需能量，表面形貌未见明显改变。但拉曼光谱表明热处理与化学处理均使薄膜内压应力得到释放，导电原子力显微镜（c-AFM）也显示KOH钝化后漏电流减小——这些因素共同改善了UV-LED的发光性能。

    关键词： 表面处理、紫外发光二极管、电致发光、应变弛豫

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 基于氮化镓的蓝光激光二极管的应变相关退化

    摘要： 采用电致发光（EL）和透射电子显微镜（TEM）研究了氮化镓基激光二极管（LDs）的退化现象。除阈值电流升高外，还观察到斜率效率下降。通过对激光二极管光学损耗和微观结构的进一步研究，发现斜率效率降低源于波导层和包层周围缺陷产生导致的光学损耗增加（从14.2 cm?1增至24.2 cm?1）以及注入电流效率下降。经过>3000小时运行后，自发EL峰的注入电流诱导蓝移现象减弱，这归因于有源区附近部分应变弛豫引起的量子限制斯塔克效应（QCSE）补偿。

    关键词： 光谱学、降解、应变弛豫、半导体激光器、线宽

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 钙钛矿太阳能电池中稳定功率转换效率的自发增强

    摘要： 据报道，卤化铅钙钛矿太阳能电池（PSCs）在制备后于黑暗环境中储存数日期间，其功率转换效率（PCE）会逐渐提升。迄今为止，这种自发增强的内在机制尚未明确。本研究针对不同钙钛矿组分与器件结构的多种多阳离子卤化物PSCs开展了现象探究。观测结果表明，这种自发增强效应并不局限于特定电荷传输层或钙钛矿组分。本研究中观测到的最高PCE为经增强后稳定的19%（绝对值提升4%），其中开路电压的升高是效率改善的主要因素。通过时间分辨光致发光测量，发现初始存在的低能态会在数日储存期内消失。此外，热刺激电流技术探测到的陷阱态在初始器件中存在，而在储存后的器件中显著减少。同时理想因子趋近于1，X射线衍射分析显示同期晶格应变发生弛豫。这些发现表明PSCs的自发增强源于陷阱辅助非辐射复合的降低，可能与应变弛豫有关。鉴于多阳离子卤化物PSCs不同组分均呈现这种自发增强的普遍性，本研究结果凸显了测定自发增强引发的绝对PCE提升对于开发高效PSCs的重要性。

    关键词： 自发增强、钙钛矿太阳能电池、功率转换效率、陷阱态、应变弛豫

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于InGaN层应变弛豫的AlGaN/AlN/InGaN/GaN双异质结构中电荷密度的建模

    摘要： 本文提出了一种分析模型，用于计算以InGaN为导电层的裸露表面AlGaN/AlN/InGaN/GaN双异质结构中的二维电子气（2DEG）密度和势垒高度。该基础模型源自不同材料界面的静电分析，并纳入了InGaN层中应变弛豫效应的影响。此外，当InGaN层厚度较大时，在InGaN/GaN界面形成的二维空穴气所造成的影响也被纳入考量。研究结果表明，该模型与现有实验数据相符，因此可作为设计和模拟InGaN基III族氮化物异质结构的有力工具。

    关键词： 二维空穴气、AlGaN/InGaN/GaN异质结构、应变弛豫、二维电子气

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 湿法处理过程中表面电势调制引起的线阵列中InGaN/GaN纳米盘发光增强

    摘要： 我们在此展示了表面电势对线状异质结构中InGaN/GaN纳米盘阵列发光的深远影响。这种表面电势的变化是通过干法与连续湿法处理工艺共同实现的。通过研究尺寸和表面电势变化函数，确定了光致发光（PL）特性。研究发现，侧壁附近抛物线形势阱导致的空穴束缚态能量变化是主导因素。我们研究了PL峰位、半高全宽（FWHM）、应变弛豫及积分PL强度随入射功率和温度的变化关系。该器件展现出更高的积分PL强度和斜率效率。

    关键词： 激子结合能、光致发光、量子限制斯塔克效应、纳米盘、表面电势、应变弛豫、氮化铟镓/氮化镓、量子限制

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 由成分渐变AlGaN埋层诱导的GaN/AlGaN/GaN(0001)异质结构中的局域应变与晶体缺陷

    摘要： 外延层中的塑性应变弛豫是限制III族氮化物基异质结构性能的关键因素之一。本研究报道了由成分渐变AlGaN外延层（在GaN缓冲层与GaN盖层之间处于拉伸应变状态）构成的异质结构中的应变弛豫与晶体缺陷。我们揭示了埋层渐变区中铝浓度及其浓度-深度分布形态对累积弹性能的影响机制，以及该机制如何调控裂纹产生或断裂的临界厚度。研究表明，这种断裂会形成部分弛豫区域，其应变弛豫程度与裂纹密度直接相关。值得注意的是，尽管AlGaN层与GaN缓冲层之间的面内共格性被破坏，但所有区域内的AlGaN层自身仍保持面内共格性。此外，埋层渐变AlGaN层中释放的拉应变与GaN盖层中诱导的压应变相匹配。最后，局部应力与穿透位错密度与所得断裂异质结构的特征存在关联。这些成果对于控制复杂塑性应变弛豫过程具有重要意义，并将进一步促进高质量成分渐变AlGaN基器件的生长。

    关键词： X射线衍射、裂纹、梯度层、外延生长、应变弛豫、氮化铝镓

    更新于2025-09-04 15:30:14