AlGaInP/InGaAs增强/耗尽型共集成掺杂沟道场效应晶体管的氢传感特性

摘要： 本文展示了通过湿法选择性刻蚀工艺制备的Al0.25Ga0.25In0.5P/In0.1Ga0.9As增强/耗尽模式共集成赝形掺杂沟道场效应晶体管的氢气传感特性。在漏极电流为0.1 mA/mm时，耗?。ㄔ銮浚┠Ｊ狡骷诳掌?800 ppm氢气浓度环境中的阈值电压分别为(约)0.97 (±0.6) V和(约)1.22 (±0.31) V。此外，采用共集成FET器件时，直接耦合FET逻辑电路（DCFL）的传输特性在氢气环境中会发生显著变化。随着氢气检测的进行，DCFL电路中的VOH值降低而VOL值升高。