通过混合沉积法制备均匀Cs2SnI6薄膜实现无铅稳定的钙钛矿光电子器件

摘要： 在此，我们通过两种混合沉积方法合成了均匀的Cs2SnI6薄膜，同时考虑了相变过程中的体积膨胀问题。首先采用倾斜热蒸发法沉积CsI后旋涂SnI4，制得无杂质相的均匀Cs2SnI6薄膜。从CsI到Cs2SnI6的快速体积膨胀（旋涂10秒内完成，ΔV=106%）被多孔CsI薄膜所缓冲，从而抑制了裂纹产生。旋涂后残留的过量SnI4通过甲苯清洗有效去除且不损伤Cs2SnI6薄膜，并基于载流子迁移率提出了最佳沉积参数。其次，在250°C下对CsI进行SnI4蒸汽退火处理，再经300°C的SnI4与I2混合蒸汽后处理，获得了全覆盖的Cs2SnI6薄膜?；郝姆从蹋ㄍ耆?0分钟）为SnI4充分扩散至CsI内部提供了充足时间，即使使用致密CsI基底也不会产生裂纹。通过SnI4和I2氛围的后处理抑制了Cs2SnI6中的非辐射复合路径，其光致发光增强效应证实了这一效果。