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通过混合沉积法制备均匀Cs2SnI6薄膜实现无铅稳定的钙钛矿光电子器件

DOI:10.1007/s13391-018-00114-7 期刊:Electronic Materials Letters 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 在此,我们通过两种混合沉积方法合成了均匀的Cs2SnI6薄膜,同时考虑了相变过程中的体积膨胀问题。首先采用倾斜热蒸发法沉积CsI后旋涂SnI4,制得无杂质相的均匀Cs2SnI6薄膜。从CsI到Cs2SnI6的快速体积膨胀(旋涂10秒内完成,ΔV=106%)被多孔CsI薄膜所缓冲,从而抑制了裂纹产生。旋涂后残留的过量SnI4通过甲苯清洗有效去除且不损伤Cs2SnI6薄膜,并基于载流子迁移率提出了最佳沉积参数。其次,在250°C下对CsI进行SnI4蒸汽退火处理,再经300°C的SnI4与I2混合蒸汽后处理,获得了全覆盖的Cs2SnI6薄膜?;郝姆从蹋ㄍ耆?0分钟)为SnI4充分扩散至CsI内部提供了充足时间,即使使用致密CsI基底也不会产生裂纹。通过SnI4和I2氛围的后处理抑制了Cs2SnI6中的非辐射复合路径,其光致发光增强效应证实了这一效果。
作者: Byungho Lee,Byungha Shin,Byungwoo Park
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研究概述 实验方案 设备清单

采用混合沉积方法合成均匀的Cs2SnI6薄膜,用于无铅且稳定的钙钛矿光电子器件。

混合沉积方法成功制备出均匀稳定的Cs2SnI6薄膜。倾斜角为75°的旋涂斜向蒸发工艺优化了载流子迁移率,而气相辅助沉积结合退火处理则提升了薄膜质量并降低了陷阱密度,增强了光致发光性能。这些方法解决了钙钛矿材料的铅毒性和稳定性问题,未来还需进一步提高其太阳能电池应用效率。

该研究在蒸汽辅助沉积方面具有较窄的反应温度/时间窗口,且量子效率需进一步提升才能实现高效太阳能电池。相关工艺可能需要进行优化以实现规?;肮ひ涤τ?。

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