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氢气流量对ZnS薄膜物理性能的影响：作为太阳能电池潜在缓冲层的研究
摘要： 薄膜太阳能电池器件中对潜在无镉缓冲层的特殊需求促使我们研究沉积后氢退火对ZnS薄膜物理性能优化的影响。我们将厚度200纳米的沉积薄膜在200°C下以50.0-150.0标准立方厘米/分钟的流量范围进行氢化处理。X射线衍射分析显示：玻璃基底薄膜在150.0 sccm时非晶相转变为立方相并达到最大结晶度，而ITO基底薄膜则转变为纤锌矿结构且结晶度增强，150.0 sccm时还出现了立方相与六方相混合态。电学行为（I-V特性）呈现欧姆特性且在100.0 sccm时载流子浓度最高?？杉馇毡叻⑸兑?，150.0 sccm时获得最高95%透射率及3.41电子伏特的光学带隙。表面形貌分析显示粗糙度降低，光致发光（PL）研究表明150.0 sccm时在2.95电子伏特处出现最强发射峰，这归因于间隙位缺陷减少和晶界钝化。这些结果有助于理解ZnS薄膜中的氢相关杂质，以及氢化处理对提升太阳能电池缓冲层适用物理性能的作用。
关键词： 缓冲层，硫化锌薄膜，氢化处理，物理性能，电子束蒸发
更新于2025-09-23 15:19:57
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 可控LeTID现象研究——FZ硅在缺陷研究中的应用
摘要： 在本研究中，我们通过一系列实验探究了导致光热诱导衰减（LeTID）缺陷的成因。实验证实，即便在高纯度单晶硅中也能观察到LeTID效应。因此我们在区熔硅上开展实验，采用多种工艺方案来验证关于LeTID的重要假设，并在更明确的条件下重现该现象?；谘趸敛愕牟煌砻娑刍桨赣胩囟ㄇ饣硐嘟岷?，对p型和n型硅片进行不同热处理。p型硅片的实验结果验证了先前关于氮化硅层和烧结峰值温度影响的多个观察结论，但未发现特定烧结温度曲线的关键影响。所研究的n型硅片虽未呈现典型LeTID行为，但仍受LeTID缺陷影响：首先，在LeTID测试条件下观察到体寿命改善驱动的有效少子寿命提升；其次，烧结后n型硅片寿命图像与退化态p型硅片呈现相同特征模式。这些发现强烈表明，n型硅片在烧结后的初始状态就可能已存在LeTID缺陷。
关键词： 表面钝化、区熔硅、缺陷研究、氢化处理、光致衰减效应（LeTID）
更新于2025-09-19 17:13:59