研究目的
在更明确的条件下，研究高纯度直拉单晶硅中导致光和高温诱导衰减（LeTID）的缺陷起源。
研究成果
在FZ硅上进行的实验在更明确的条件下独立验证了多晶硅和Cz硅的若干观测结果。该材料的高纯度使得一些在低纯度材料上可能被忽略或舍弃的有趣现象得以显现。这些发现为未来研究开辟了有趣的途径。
研究不足
注意到n型样品中未检测到性能退化，以及在特定工艺过程中引入的额外氢浓度极低，这些被视为局限性。计划开展采用优化温度曲线的后续实验。
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 可控LeTID现象研究——FZ硅在缺陷研究中的应用
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 可控LeTID现象研究——FZ硅在缺陷研究中的应用
DOI：10.1063/1.5123893
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
在本研究中，我们通过一系列实验探究了导致光热诱导衰减（LeTID）缺陷的成因。实验证实，即便在高纯度单晶硅中也能观察到LeTID效应。因此我们在区熔硅上开展实验，采用多种工艺方案来验证关于LeTID的重要假设，并在更明确的条件下重现该现象。基于氧化铝层的不同表面钝化方案与特定氢化处理相结合，对p型和n型硅片进行不同热处理。p型硅片的实验结果验证了先前关于氮化硅层和烧结峰值温度影响的多个观察结论，但未发现特定烧结温度曲线的关键影响。所研究的n型硅片虽未呈现典型LeTID行为，但仍受LeTID缺陷影响：首先，在LeTID测试条件下观察到体寿命改善驱动的有效少子寿命提升；其次，烧结后n型硅片寿命图像与退化态p型硅片呈现相同特征模式。这些发现强烈表明，n型硅片在烧结后的初始状态就可能已存在LeTID缺陷。
作者：
Tim Niewelt，Regina Post，Florian Schindler，Wolfram Kwapil，Martin C. Schubert
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