氧退火对HfIZO薄膜晶体管器件性能的修复作用

摘要： 基于金属氧化物的薄膜晶体管（氧化物TFT）在需要高开关和驱动性能的下一代电子产品（如透明显示器）中极具应用前景。本研究展示了一种优化工艺：通过氧退火后处理，在非晶铪铟锌氧化物（a-HfIZO）TFT中实现了优异器件性能，并使阈值电压有利地向0V偏移。这种增强源于氧退火减少了与氧空位相关的界面态密度，从而改善了栅极介质层与半导体层之间的界面特性。器件统计数据证实了器件间及批次间的均匀性得到提升。我们还报道了此类氧化物TFT在长期紫外照射下的光致稳定性，这对透明显示器具有重要意义。