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oe1(光电查) - 科学论文

12 条数据
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  • CuS及rGO包覆CuS纳米复合材料的电导率和介电行为的温度与频率依赖性研究

    摘要： 在本研究中，我们开发了一种简单且低成本的策略，通过铜与氧化石墨烯（GO）之间明显的氧化还原转化反应（无需任何添加剂），实现还原氧化石墨烯（rGO）包覆硫化铜（CuS）纳米复合材料的一锅法合成。采用多种物理化学技术对制备的CuS及rGO包覆CuS纳米复合材料进行表征，以观察其形貌、结构和形态。结果显示，合成样品的平均尺寸为10-30纳米，具有六方结构。紫外-可见吸收光谱表明，CuS和rGO包覆CuS复合材料在近红外区域表现出强烈的吸收峰。合成的样品在较宽的频率范围（102-10? Hz）内显示出高介电常数和电导率。我们还研究了温度对合成的rGO包覆CuS纳米复合材料电导率的影响。优异的电导性能归因于CuS与rGO之间的协同效应。随着温度升高，rGO包覆CuS复合材料在高温下的最大电导率呈指数增长。这种具有高介电常数和电导率的合成复合材料是高电容领域极具前景的材料，进一步可作为超级电容器和储能应用的电极材料。

    关键词： 电导率、温度效应、硫化铜纳米复合材料、还原氧化石墨烯、介电常数

    更新于2025-11-21 11:18:25

  • 锥形硅通孔（T-TSV）寄生电容的温度特性表征

    摘要： 随着三维集成电路集成密度的不断提高，温度成为电路设计中影响性能与可靠性的主要考量因素之一。本文研究了锥形硅通孔（T-TSV）的寄生电容与热学特性的关系，提出"电容温度系数（TCC）"概念来建模TSV电容对温度的敏感度。研究发现高频应用下TSV电容对温度较为敏感，其中MOS电容变化是导致TSV电容改变的主要原因，且TCC随温度升高而增大。论文进一步探讨了TSV尺寸参数对TCC的影响：TSV半径增大会使TCC逐渐升高，而介质层厚度则呈现相反趋势；圆柱形TSV的热敏感性低于锥形TSV。本研究为考虑温度效应的TSV设计提供了理论依据。

    关键词： 锥形硅通孔（T-TSV）、寄生电容、温度效应、三维集成电路（3D ICs）

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 数字相机在二维与三维测量应用中的温度补偿方法

    摘要： 本文介绍了几项关于温度对数码相机影响的研究结果。实验使用了三种不同型号的相机。研究结果明确表明，现有典型相机设计未能充分考虑温度变化对设备性能的影响。为此，我们提出了一种改进型相机设计方案，该方案在不同环境温度下表现出高度可预测的特性，并便于实现热补偿。同时，我们还提出了一种新型温度补偿方法。该补偿模型几乎适用于所有现有相机应用场景，因其与各类相机校准模型均兼容。文中还描述了该补偿模型在二维（2D）和三维（3D）场景中的应用，并展示了采用该补偿方法所获得的结果。

    关键词： 温度效应，三维成像，结构光，相机标定

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • N个量子点太阳能电池

    摘要： 在这项工作中，我们研究了p-i-n光电二极管有源区内极化产生的内电场对InN/InGaN量子点中间带太阳能电池特性的影响。通过解析求解相应的薛定谔方程，并考虑导带和价带偏移量，确定了电子和空穴能级。为确定所有中间跃迁过程，我们纳入了类似研究中通常被忽略的空穴能级。通过将铟含量、内电场、量子点间距和点尺寸作为变量，计算了多量子点太阳能电池的开路电压、短路电流密度和光伏转换效率等所有参数。计算结果表明：若不考虑内电场的影响来测定光伏转换效率(η)，会导致对η值的过高估计。

    关键词： 温度效应，中等水平，内电场，太阳能电池，光伏转换效率

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • MLG-2DEG异质结构中的等离激元模式：温度效应

    摘要： 我们采用随机相位近似介电函数，并考虑系统介电背景的非均匀性，在有限温度下计算了由单层石墨烯和砷化镓量子阱构成的双层体系中的等离激元频率与阻尼率。研究表明，温度、层间关联参数以及介电背景的非均匀性会显著影响体系的等离激元频率和阻尼率。低温条件下，声学（光学）等离激元频率随温度升高而增大（减?。?。同时发现，两种等离激元模式的阻尼率较零温情况均有显著提升。

    关键词： 石墨烯、等离激元、集体激发、温度效应

    更新于2025-09-23 22:38:46

  • GaAs量子点在GaAs1-xPx基质中用于太阳能电池应用的效率提升

    摘要： 本文对GaAs1-xPx基质中GaAs量子点（QD）的电学与光学特性进行了模拟与优化研究。结果表明：25层GaAs/GaAs1-xPx量子点结构可使短路电流和转换效率分别相对提升41.34%和75.40%。相同量子点层数下，外量子效率（EQE）测试显示低能光子吸收边从875 nm拓展至1200 nm（ΔEQE=25%）。通过研究不同量子点插入数量下的温度效应发现：当温度从273 K升至350 K时，25层量子点结构的最佳转换效率从23.50%降至18.70%。此外，通过对比GaAs/GaAs1-xPx量子点太阳能电池（QDSC）与In0.47Ga0.53As/GaAs0.86P0.14 QDSC、In0.167Ga0.53As/GaAs及GaAs参比电池的电学特性与EQE测试结果，验证了本结构的优越性。

    关键词： 量子点、太阳能电池、温度效应、外量子效率

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 温度对圆柱形量子点（GaAs/GaAlAs）中磁供体结合能与抗磁磁化率的影响

    摘要： 本研究在有效质量近似下，探讨了温度对限制于GaAs/GaAlAs圆柱形量子点中浅施主磁束缚能和抗磁磁化率的影响。我们采用无限深势阱描述量子限制效应。结果表明：当温度或磁场增强时，(i)束缚能增大；(ii)抗磁磁化率的绝对值减小。该效应强烈依赖于圆柱形量子点的尺寸。

    关键词： 砷化镓/镓铝砷，温度效应，结合能，圆柱形量子点，抗磁磁化率，磁供体

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 非聚光光伏系统热法增效的最新进展

    摘要： 分析了两种降低非聚光光伏板工作温度的方法并比较了其性能。提出的改进方案包括采用低功率风扇的强制空气冷却和使用热虹吸热管。对这两种技术的实验结果进行了对比。研究发现，通过特定流速选择合适的热管工质及其运行条件，可显著降低光伏板温度。

    关键词： 温度效应、面板冷却、光伏、效率提升

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 粉尘沉积对光伏面板影响的实验研究

    摘要： 近年来，光伏被视为解决当前能源?；闹饕揪吨?。光伏电站通常建于沙漠、荒地等暴露区域，其发电效率易受表面积尘影响。该研究阐述了灰尘影响光伏的"三效应"——遮蔽效应、温度效应和腐蚀效应，并提出了光伏电池效率评估方法。现场实验表明：随着积尘密度增加，光伏组件的短路电流、开路电压及输出功率均呈下降趋势；当积尘密度达10克/平方米时，光伏最大功率衰减约34%。在积尘初期，灰尘对输出性能的影响最为显著。此外，积尘密度与转换效率呈现较好的非线性相关性——随着积尘密度逐步增大，光伏转换效率持续降低；当积尘密度增至特定阈值后，转换效率趋于稳定。

    关键词： 温度效应、腐蚀效应、转换效率、屏蔽效应

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 高斯限制极性量子点单粒子基态与自能的温度效应

    摘要： 采用Lee-Low-Pines-Hybrechts变分技术和量子统计力学研究了高斯量子点中极化子性质的温变特性。结果表明：基态能量随温度升高而增大，相应的极化子修正项减小。由此证实，在整个耦合常数范围内，极化子效应均随温度升高而减弱。

    关键词： 温度效应、极化子自能、量子点、高斯约束

    更新于2025-09-12 10:27:22