研究目的
研究锥形硅通孔（T-TSV）的寄生电容与热特性的关系，并提出电容温度系数（TCC）来建模TSV电容对温度的敏感性。
研究成果
TCC概念有效模拟了TSV电容的温度敏感性，表明TCC随温度升高而增大且受TSV尺寸影响。圆柱形TSV比锥形TSV具有更好的热稳定性。这为设计具有更优热性能的3D集成电路TSV提供了依据。
研究不足
该研究基于分析模型，未包含实验验证或实测数据。其假设了特定固定参数（如掺杂浓度、材料特性），可能无法涵盖所有实际变化或制造缺陷。
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锥形硅通孔（T-TSV）寄生电容的温度特性表征
DOI：10.1587/elex.15.20180878
期刊：IEICE Electronics Express
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
随着三维集成电路集成密度的不断提高，温度成为电路设计中影响性能与可靠性的主要考量因素之一。本文研究了锥形硅通孔（T-TSV）的寄生电容与热学特性的关系，提出"电容温度系数（TCC）"概念来建模TSV电容对温度的敏感度。研究发现高频应用下TSV电容对温度较为敏感，其中MOS电容变化是导致TSV电容改变的主要原因，且TCC随温度升高而增大。论文进一步探讨了TSV尺寸参数对TCC的影响：TSV半径增大会使TCC逐渐升高，而介质层厚度则呈现相反趋势；圆柱形TSV的热敏感性低于锥形TSV。本研究为考虑温度效应的TSV设计提供了理论依据。
作者：
Yang Liu，Zhangming Zhu，Xiaoxian Liu，Huaxi Gu，Lixin Guo
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