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采用溅射法和旋涂法制备的氧化锌薄膜的光电流特性
摘要： 采用射频溅射法和旋涂法制备的氧化锌（ZnO）薄膜晶体管（TFTs）的光电流特性被研究。通过多种表征方法对比了溅射和旋涂制备的ZnO薄膜的物理与化学性质。利用X射线光电子能谱分析了ZnO薄膜的化学成分及价态，采用紫外-可见分光光度计测量了透光率与光学带隙，使用X射线衍射仪检测了薄膜的晶体结构，并通过扫描电子显微镜观察了薄膜表面形貌。分别通过溅射工艺和溶液工艺制备的ZnO TFTs在光照下均呈现光电流特性：溅射法制备的ZnO TFTs在405纳米光照下具有3.08 mA/W的光响应度，而溶液法制备的器件达到5.56 mA/W。本研究为基于ZnO的光电子器件开发提供了重要参考。
关键词： 光电晶体管、溅射、薄膜晶体管、溶液法、氧化锌
更新于2025-09-10 09:29:36
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溶液法制备的无机p沟道晶体管：最新进展与展望
摘要： 几十年来，无机n型金属氧化物半导体因其优异的电学性能、低成本、高光学透明度和良好的环境稳定性，在众多应用领域引起了极大关注。随后研究重点转向开发与n型材料具有相当光电性能的高性能p型半导体。本文全面综述了溶液法制备无机p型半导体的最新进展，这类材料可作为薄膜晶体管和互补金属氧化物半导体集成电路中的沟道层。我们首先介绍传统p型氧化物半导体并回顾其相关器件研究成果，随后重点探讨新兴（类）卤化物材料在实现透明、低温及高性能可印刷电子器件与电路方面的应用。
关键词： 无机p型半导体、低温工艺、溶液法、场效应晶体管、可印刷电子学
更新于2025-09-09 09:28:46
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一种双功能超氧化物前驱体用于改善氧化物薄膜晶体管的电学特性
摘要： 我们研究了一种利用双功能超氧化钾前驱体同时提升溶液法制备的锌锡氧化物薄膜晶体管（ZTO TFTs）迁移率和可靠性的方法。超氧化钾（KO2）前驱体中的钾阳离子作为ZTO薄膜中的载流子供体，提高了载流子（电子）浓度，从而使钾掺杂的ZTO TFT展现出高迁移率。该前驱体中的阴离子以超氧自由基形式存在，在氧化薄膜形成过程中减少氧空位。因此，与原始ZTO TFT相比，经KO2处理的ZTO TFT展现出更优的迁移率和可靠性：在经过5000秒正偏压温度应力测试后，其场效应迁移率从5.57提升至8.74 cm2/Vs，阈值电压漂移从7.18降至3.85 V。
关键词： 氧化物半导体，超氧自由基，溶液法，双功能前驱体，薄膜晶体管
更新于2025-09-09 09:28:46