研究目的
研究采用射频溅射和旋涂方法制备的氧化锌（ZnO）薄膜晶体管（TFTs）的光电流特性。
研究成果
溅射法制备的ZnO薄膜晶体管在405纳米光照下的光电响应度为3.08毫安/瓦，而溶液法制备的ZnO薄膜晶体管的光电响应度达到5.56毫安/瓦。这些结果为基于ZnO薄膜的高透明光电子器件进一步发展提供了重要参考。
研究不足
该研究仅比较了两种制备ZnO薄膜的方法（溅射法和旋涂法），并聚焦于它们的光电流特性。未探讨其他制备方法或应用的优化潜力。
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采用溅射法和旋涂法制备的氧化锌薄膜的光电流特性
DOI：10.3938/jkps.73.1351
期刊：Journal of the Korean Physical Society
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
采用射频溅射法和旋涂法制备的氧化锌（ZnO）薄膜晶体管（TFTs）的光电流特性被研究。通过多种表征方法对比了溅射和旋涂制备的ZnO薄膜的物理与化学性质。利用X射线光电子能谱分析了ZnO薄膜的化学成分及价态，采用紫外-可见分光光度计测量了透光率与光学带隙，使用X射线衍射仪检测了薄膜的晶体结构，并通过扫描电子显微镜观察了薄膜表面形貌。分别通过溅射工艺和溶液工艺制备的ZnO TFTs在光照下均呈现光电流特性：溅射法制备的ZnO TFTs在405纳米光照下具有3.08 mA/W的光响应度，而溶液法制备的器件达到5.56 mA/W。本研究为基于ZnO的光电子器件开发提供了重要参考。
作者：
Sungho Park，Byung Jun Kim，Seong Jun Kang，Nam-Kwang Cho
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