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oe1(光电查) - 科学论文

7 条数据
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  • [2017年IEEE国际综合可靠性研讨会(IIRW) - 美国加利福尼亚州枫叶湖(2017.10.8-2017.10.12)] 2017年IEEE国际综合可靠性研讨会(IIRW) - 强非均匀电场中的二氧化硅退化

    摘要： 已展示SuperFlash?存储单元隧道氧化物中场致陷阱产生的新实验证据。研究表明，负电压应力会在靠近浮栅尖端的氧化层区域产生最高局部电场。针对不同隧穿几何结构的存储单元，已研究电应力对隧穿特性退化的影响。文中讨论了场致陷阱产生的可靠性问题，并得出结论：所分析的退化机制对SuperFlash技术不构成关键影响。

    关键词： 浮栅、编程擦除循环耐久性、存储器可靠性、氧化层退化、电子隧穿、闪存、电子俘获

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 基于双量子点测量电荷量子比特的优化隧穿结构量子芯片

    摘要： 提出了一种用于测定电荷量子比特任意纯态的测量芯片电路。稳态模式下流经单电子晶体管的电流强度取决于量子比特的状态。为增强晶体管灵敏度，其工作部分由三个能级呈对称构型的量子点（QDs）构成。采用二维量子点的微观模型计算系统参数，获得结构态的时间演化规律，并确定电流强度、灵敏度及测量对比度随系统几何参数的变化关系。研究了声学声子相关耗散过程对测量的影响，计算了两能级系统中电子弛豫与退相干的速率。

    关键词： 量子点、电荷量子比特、声学声子、单电子晶体管、量子探测器、电子隧穿

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 量子点分子Jaynes - Cummings模型中的场压缩

    摘要： 我们研究了一个由初始相干场与通过电子隧穿耦合的两个量子点相互作用所构成的系统中的场压缩现象。给出了描述该系统的近似量子点分子Jaynes-Cummings模型，并详细讨论了温度、声子-电子相互作用、平均光子数、场失谐以及隧穿能级失谐等物理量的影响。

    关键词： 杰恩斯 - 卡明斯模型、声子 - 电子相互作用、电子隧穿、量子点分子、场压缩

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 纳米结构限域实现可控界面电荷转移

    摘要： 碳纳米结构负载的半导体在光催化和光电化学应用中十分常见，因为这类纳米导体有望改善光生载流子的空间分离与传输。载流子通过碳-半导体界面的转移是决定电荷分离通道作用的关键电子过程，且该过程对接触界面附近半导体的能带结构高度敏感。通常，这一电子过程会因热电子发射导致过多能量耗散，从而不利地阻碍界面电荷转移并最终加剧光生载流子的复合。遗憾的是，这一关键问题很少被有意识地加以考虑。本研究采用涂覆于石墨烯表面、夹在碳层与半导体纳米结构之间的超薄无掺杂隧穿中间层作为模型体系，来展示界面电荷转移的节能效果。与石墨烯片接触的超薄中间层对能带弯曲的纳米结构限域效应，能有效缩小势垒宽度，使大量光生电子无需过度消耗能量即可隧穿至助催化剂。此外，这种无掺杂隧穿中间层还能同时阻止被转移至夹层石墨烯片中的电子发生泄漏。

    关键词： 纳米结构限域、热电子发射、电子隧穿、电荷转移、电荷传输

    更新于2025-09-23 01:08:40

  • 等离子体纳米棒超材料中隧穿诱导的宽带可调谐光学发射

    摘要： 我们展示了一种通过电子隧穿效应实现电驱动宽带发光的超材料平台。该超材料平板的法布里-珀罗模式和波导模式，以及隧穿间隙的等离子体激元模式共同作用，塑造了发光光谱。这为通过调节纳米结构的几何参数来设计可见光及近红外波段内发射光的频谱和偏振特性提供了可能。隧穿诱导发光与波导模式的高效耦合有助于集成非相干光源的开发，而耦合输出的光则可作为自由空间辐射源。这种非相干纳米级光源有望应用于集成光电子电路、光学传感平台、成像及计量等领域。

    关键词： 等离子体激元学、纳米级光源、超材料、电子隧穿

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于三个电学与光学双控隧穿耦合量子点线性结构的单电子晶体管

    摘要： 本文讨论了一种基于由三个半导体量子点组成的共振隧穿纳米结构的单电子晶体管敏感元件的原理图。采用极端点与金属库电极之间非相干电子输运模型，对该结构输出端稳态（电流）模式下的电子密度进行了数值计算，获得了电子密度随时间及系统参数的变化关系。研究表明，存在若干参数组合可使外部电场测量具有高灵敏度和高可靠性。此外还提出了一种替代性的光控晶体管电路方案，其中通过共振激光场维持结构中的电子输运。

    关键词： 电子隧穿、量子探测器、量子点、单电子晶体管

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 通过电子隧穿和非相干泵浦实现半导体三能级InAs/GaAs双量子点分子中的微弱拖曳效应

    摘要： 我们从理论上研究了半导体三能级InAs/GaAs双量子点分子中的横向和旋转光拖曳效应。研究未采用相干激光场，而是通过量子点间电子隧穿产生相干性。我们探讨了量子点间电子隧穿对横向和旋转光拖曳的影响，并发现向探测跃迁施加非相干泵浦场会改变亚光速与超光速的传播条件。观测结果表明：在超光速传播区域，光偏振态的运动方向与介质运动相反；而在亚光速传播区域，两者运动方向相同。

    关键词： 量子点分子、非相干泵浦、电子隧穿、半导体、光拖曳

    更新于2025-09-12 10:27:22