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基于双量子点测量电荷量子比特的优化隧穿结构量子芯片

DOI:10.1134/S1063739720020080 期刊:Russian Microelectronics 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 提出了一种用于测定电荷量子比特任意纯态的测量芯片电路。稳态模式下流经单电子晶体管的电流强度取决于量子比特的状态。为增强晶体管灵敏度,其工作部分由三个能级呈对称构型的量子点(QDs)构成。采用二维量子点的微观模型计算系统参数,获得结构态的时间演化规律,并确定电流强度、灵敏度及测量对比度随系统几何参数的变化关系。研究了声学声子相关耗散过程对测量的影响,计算了两能级系统中电子弛豫与退相干的速率。
作者: A. V. Tsukanov,I. Yu. Kateev
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研究概述 实验方案

研究基于双量子点的电荷量子比特态测量量子芯片的设计与性能,重点通过三量子点对称构型提升测量灵敏度,并分析耗散过程的影响。

该研究表明,采用具有优化隧穿结构的量子芯片来测量基于双量子点的电荷量子比特状态是可行的。非共振隧穿模式可提高测量灵敏度,而哈密顿量参数的对称性对实现最佳性能至关重要。然而,耗散过程(尤其是声子诱导的退相位效应)会显著影响测量质量。研究结果表明,通过精心设计量子点的形状和材料可以缓解这些影响,从而为构建可扩展的量子计算架构铺平道路。

该研究属于理论性研究,依赖于数值模拟,可能无法完全捕捉现实系统中所有的物理细微差别。耗散过程(尤其是声子诱导的弛豫和退相位)的影响对维持相干性和测量精度构成了挑战。所提出的芯片设计在实际实施中,可能在制造具有精确几何和能量参数的量子点方面面临技术限制。

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