[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 双面PERC太阳能电池背面新设计的电极图案

摘要： 当今的智能手机和平板电脑需要高音频保真度（例如总谐波失真加噪声THD+N<0.01%）和高抗噪性（例如电源抑制比PSRR>80dB），以实现SoC的高度集成。传统闭环脉宽调制(PWM)D类放大器(CDA)的设计通常需要在保真度（以THD+N衡量）、PSRR和开关频率之间进行不理想的权衡。本文提出一种全集成CMOS CDA，其包含新型输入调制载波发生器和新型无相位误差PWM调制器，共同实现采用高环路增益来获得高PSRR，同时不牺牲线性度/动态范围或依赖高开关频率。该65nm CMOS工艺实现的原型CDA在VDD=3.6V下向8Ω负载输出500mW功率时，达到0.0027%的THD+N和94%的功率效率。原型CDA的PSRR极高：217Hz时为-101dB，1kHz时为90dB，堪称迄今最高水平。此外，其开关频率在320至420kHz间变化，通过扩频技术可降低电磁干扰。该原型CDA还具有宽工作电压范围的适应性，VDD涵盖从可充电1.2V单电池到标准3.6V智能设备供电电压。