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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 双面PERC太阳能电池背面新设计的电极图案

DOI：10.1109/PVSC40753.2019.8980623 出版年份：2019 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 当今的智能手机和平板电脑需要高音频保真度（例如总谐波失真加噪声THD+N<0.01%）和高抗噪性（例如电源抑制比PSRR>80dB），以实现SoC的高度集成。传统闭环脉宽调制(PWM)D类放大器(CDA)的设计通常需要在保真度（以THD+N衡量）、PSRR和开关频率之间进行不理想的权衡。本文提出一种全集成CMOS CDA，其包含新型输入调制载波发生器和新型无相位误差PWM调制器，共同实现采用高环路增益来获得高PSRR，同时不牺牲线性度/动态范围或依赖高开关频率。该65nm CMOS工艺实现的原型CDA在VDD=3.6V下向8Ω负载输出500mW功率时，达到0.0027%的THD+N和94%的功率效率。原型CDA的PSRR极高：217Hz时为-101dB，1kHz时为90dB，堪称迄今最高水平。此外，其开关频率在320至420kHz间变化，通过扩频技术可降低电磁干扰。该原型CDA还具有宽工作电压范围的适应性，VDD涵盖从可充电1.2V单电池到标准3.6V智能设备供电电压。
作者： Linfei Guo，Tong Ge，Joseph S. Chang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

提出一种全集成CMOS D类放大器（CDA），无需采用高开关频率或复杂的多重反馈环路，即可实现高音频保真度、强抗噪能力与高功率效率。

研究成果

原型CDA实现了0.0027%的总谐波失真加噪声(THD+N)、94%的功率效率，在217Hz时具有101dB的电源抑制比(PSRR)，在1kHz时为90dB，工作电压范围灵活，支持1.2V至3.6V供电。在已评测的先进设计方案中，该器件拥有最高的PSRR和功率效率。

研究不足

出于成本考虑，原型CDA与其他无关设计集成在一块大芯片上，这可能并非适用于所有应用场景。其开关频率虽可变，但相对较低，可能会限制某些高频应用。

SCI高频之选
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