通过级联空穴传输层显著提升量子点发光器件的稳定性

摘要： 本研究探讨了空穴传输层（HTL）对电致发光量子点发光器件（QDLEDs）稳定性的影响。通过采用具有最高占据分子轨道能级连续阶跃的级联HTL（CHTL）结构，QDLEDs的电致发光半衰期（LT50）可提升25倍。采用该方案时，基于常规核壳结构量子点发光体的红光QDLEDs获得了864,000小时（初始亮度100 cd m-2条件下）的LT50。CHTL主要通过将过量空穴积累从QD/HTL界面转移至层间HTL/HTL界面来提升QDLED稳定性。CHTL中更宽的电子-空穴复合区域（针对从QD层泄漏的电子）使得QD/HTL界面的HTL降解程度降低。本工作凸显了HTL对QDLED稳定性的重要影响，并创造了基于常规核壳量子点结构QDLED的最长LT50记录。