研究目的
研究空穴传输层（HTL）对电致发光量子点发光器件（QDLEDs）稳定性的影响，并通过采用级联空穴传输层（CHTL）结构来延长其电致发光半衰期（LT50）。
研究成果
CHTL结构使QDLED稳定性提升25倍，红色QDLED的LT50达到864,000小时。这一改进归因于量子点/空穴传输层界面处空穴积累的减少以及复合区向远离量子点层的方向移动。该研究强调了空穴传输层对QDLED稳定性和效率的重要性。
研究不足
该研究聚焦于采用常规核壳结构量子点发射器的红色QDLED。未探究这些发现对其他颜色或类型量子点的适用性。长期降解机制及其对商业应用的影响尚需进一步研究。
该方法涉及制备具有倒置结构的红光发射器件：ITO（100纳米）/ZnO（35纳米）/量子点（40纳米）/空穴传输层（60纳米）/空穴注入层（HIL）/铝（100纳米），其中空穴传输层由CBP（40纳米）/TCTA（10纳米）/NPB（10纳米）的复合空穴传输层结构组成，并搭配MoO3（5纳米）或HATCN（10纳米）作为空穴注入层。通过电流密度-电压、亮度-电压、外量子效率-电流密度以及电致发光光谱对器件进行表征。通过延迟电致发光测量探究空穴传输层内的相对激子密度。
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CdSe/ZnS quantum dots
Cd-QLED-630
Mesolight Inc.
Emission layer in QDLEDs
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CBP
Angstrom Engineering
Hole transport layer material
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NPB
Angstrom Engineering
Hole transport layer material
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TCTA
Luminescence Technology Corp.
Hole transport layer material
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FIrpic
Luminescence Technology Corp.
Luminescent dopant for marking layer
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HATCN
Angstrom Engineering
Hole injection layer material
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MoO3
Angstrom Engineering
Hole injection layer material
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Al
Angstrom Engineering
Anode material
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ITO
Kintec
Electron injection electrode
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ZnO
Sigma-Aldrich
Electron transport layer
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