修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 采用双层纳米压印光刻结合反馈控制电迁移技术制备的单分子电子学纳米级结点

    摘要： 采用双层纳米压印光刻结合反馈控制电迁移技术制备单分子电子学纳米级结点。纳米压印光刻（NIL）是一种快速、简易且高通量的技术，能以低成本制造具有纳米级精度特征的结构。我们提出一种先进的双层纳米压印光刻方法，用于制备四端纳米结器件以开展单分子电子学研究。本工作第一部分，我们展示利用双层抗蚀剂技术的NIL剥离工艺，该工艺解决了剥离过程中金属侧壁撕裂的问题。除精确复制纳米级特征外，我们还证明在保持双层结构的同时可实现微米级特征压印，从而形成底切抗蚀剂结构——这通过选择合适的压印参数以及残余层刻蚀深度和显影时间实现。随后我们采用反馈控制电迁移工艺制备出室温稳定的纳米间隙电极（尺寸小于2纳米）。该方法有助于将分子集成至稳定的固态分子电子器件中，如将苯硫酚作为分子桥连接电极并通过电流-电压测量表征其电学特性。在多次I-V扫描中证实了分子输运特征：低电压时I-V曲线出现电流抑制现象，高电压时该抑制解除，表明随电压变化存在分子能级的共振与非共振输运。过渡电压谱中较大的电导率、I-V扫描对称性以及较小的电压极小值，均显示两个苯硫酚分子通过π-堆叠方式桥接。

    关键词： 电迁移、过渡电压谱、纳米压印、光刻、苯硫酚、双层光刻胶、分子桥、分子电子学

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [IEEE 2019年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 意大利乌迪内（2019.9.4-2019.9.6）] 2019年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 后道工艺设计对高缩放FinFET自热效应与可靠性的影响

    摘要： 本文研究了后道工艺(BEOL)设计对高度缩小的鳍式场效应晶体管(FinFETs)中器件和后道可靠性的影响——包括热载流子注入(HCI)、偏压温度不稳定性(BTI)和电迁移(EM)——这是由于自热效应与BEOL的关联性所致。我们的分析表明，由于薄鳍体器件与衬底的热耦合较差，大部分热量会从BEOL层散出。这使得自热效应以及由此产生的器件(前道工艺，FEOL)温度对BEOL设计极为敏感。通过BEOL层的热流还会显著升高金属和通孔的温度。温度升高会对整体可靠性产生不利影响，而缓解器件退化的方法之一就是优化BEOL设计。

    关键词： 自加热效应、热载流子注入、鳍式场效应晶体管、可靠性、偏压温度不稳定性、电迁移、后道工艺设计的影响、老化

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 电激发等离子体天线实现可调谐光发射

    摘要： 由稳定隧道结激发的光发射因其在光电器件集成中的潜在应用而备受关注。然而这些电驱动光源无法提供高强度电致发光。我们在此报道了一种输出功率提高两个数量级（1.4纳瓦）的光源。通过精心设计的光学天线，可将电迁移过程精确定位在结构中心。得益于亚纳米级隧道间隙，局域光学态密度大幅提升，从而产生高自发发射速率。结合天线共振与电压偏置，局域表面等离子体能量可在1.38电子伏特至1.9电子伏特范围内调控，为弥合等离子体器件与集成电路之间的鸿沟提供了途径。

    关键词： 电迁移、电激励、等离子体天线、非弹性电子隧穿、局域表面等离子体

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 薄膜条带中的逆Blech长度现象

    摘要： 数十年来，薄膜互连设计一直基于这样的认知：薄膜中电流诱导的质量输运（即电迁移）会随薄膜长度的减小而减弱。这种现象通常被称为Blech长度效应——当电流密度与薄膜长度的乘积小于临界值时，电迁移就会停止。我们报道了按Blech构型制备的铜薄膜条带中出现的新现象：观察到阴极处的电流驱动质量输运随样品长度缩短而增强，我们将此命名为"逆Blech长度效应"。进一步研究发现，铜薄膜阴极区的质量输运量与样品长度的倒数呈线性正相关。有限元分析显示，随着样品长度减小，铜薄膜端部自生温度梯度显著增大，足以诱发热迁移。因此当样品长度减小时，热迁移对阴极区总质量输运的贡献比例随之增加。这种电迁移-热迁移耦合效应被用于定性解释逆Blech长度现象的观测结果。本研究成果为微电子器件中器件级互连的设计开辟了新途径。

    关键词： 微电子器件，逆Blech长度效应，铜薄膜条带，电迁移，热迁移，Blech长度效应

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 与CMOS兼容的石墨烯

    摘要： 基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的集成电路使用金属互连导线（最初采用铝，近年来改用铜）来实现各电路元件间的电气连接。随着技术节点不断缩小以在每平方英寸硅片上集成更多器件，互连导线的横截面积也需相应缩减，这导致电阻率升高、发热及电迁移问题加剧。近期对熔点高于铜的金属（如钴和钌）的研究显示出良好的抗电迁移稳定性，但其较高的电阻率可能限制其仅适用于短程局部互连。同样，尽管高导电性石墨烯具有潜力，但因其制备需高温处理（与CMOS技术不兼容），相关应用尝试迄今仍受限。加州大学圣塔芭芭拉分校的Kaustav Banerjee团队现已开发出一种在CMOS工艺热约束条件下制备插层掺杂石墨烯纳米带互连的方法。该基于压力辅助固相扩散的技术将生长温度降至300°C，研究人员成功在SiO2基底上制备出20纳米宽的多层石墨烯互连。其电阻率低于同截面尺寸的金属互连，结果表明若替代钴/钌基互连，电路延迟可降低四倍。此外，稳定性和可靠性分析表明不存在任何电迁移相关问题。

    关键词： 互连、CMOS、电阻率、电迁移、石墨烯

    更新于2025-09-04 15:30:14