基于光散射效应的氮化硅非晶基体中硅纳米晶结构表征测定

摘要： 在本研究中，我们将探究嵌入非晶氮化硅基体中的硅纳米晶（Si-nc）所产生的弹性与非弹性光散射现象。当光子与Si-nc相互作用时，其强度、方向和波长会发生多重变化。结合反射率、光致发光（PL）和拉曼光谱的检测手段，是探测散射光的极为灵敏的工具。研究结果表明：实验观测到的PL峰位偏移源于拉曼散射，而PL峰展宽则归因于瑞利散射。我们报道了一种可同时测定Si-nc核部与表面键长的新方法。含Si-nc结构中观察到的拉曼位移降低主要源自其曲面效应，这反映了Si-nc界面处存在硅悬挂键。